STL8P2UH7 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STL8P2UH7

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 30.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 220 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0225 Ohm

Encapsulados: POWERFLAT2X2

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STL8P2UH7 datasheet

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STL8P2UH7

STL8P2UH7 P-channel 20 V, 0.0195 typ., 8 A STripFET VII DeepGATE Power MOSFET in a PowerFLAT 2x2 package Datasheet - production data Features 1 2 3 Order code V R max I 6 DS DS(on) D 1 5 2 4 3 STL8P2UH7 20 V 0.0225 @ 4.5 V 8 A PowerFLAT 2x2 Extremely low on-resistance R DS(on) Ultra logic level Figure 1 Internal schematic diagram Applic

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STL8P2UH7

STL8P4LLF6 P-channel 40 V, 0.0175 typ.,8 A, STripFET F6 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3 x 3.3 package Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOT STL8P4LLF6 40 V 0.0205 8 A 2.9 W 1 2 Very low on-resistance 3 4 Very low gate charge High avalanche ruggedness Low gate drive power loss PowerFLAT 3.3x3.3 Appl

Otros transistores... STL86N3LLH6AG, STL8DN10LF3, STL8DN4LLF6, STL8DN6LF3, STL8N10F7, STL8N10LF3, STL8N80K5, STL8NH3LL, IRF9540N, STL8P4LLF6, STL90N10F7, STL9N60M2, STL9P2UH7, STV160NF02LAT4, STV160NF02LT4, STV160NF03LAT4, STV160NF03LT4