STL8P2UH7 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STL8P2UH7

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0225 Ohm

Тип корпуса: POWERFLAT2X2

Аналог (замена) для STL8P2UH7

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STL8P2UH7 даташит

 ..1. Size:537K  st
 stl8p2uh7.pdf pdf_icon

STL8P2UH7

STL8P2UH7 P-channel 20 V, 0.0195 typ., 8 A STripFET VII DeepGATE Power MOSFET in a PowerFLAT 2x2 package Datasheet - production data Features 1 2 3 Order code V R max I 6 DS DS(on) D 1 5 2 4 3 STL8P2UH7 20 V 0.0225 @ 4.5 V 8 A PowerFLAT 2x2 Extremely low on-resistance R DS(on) Ultra logic level Figure 1 Internal schematic diagram Applic

 9.1. Size:359K  st
 stl8p4llf6.pdf pdf_icon

STL8P2UH7

STL8P4LLF6 P-channel 40 V, 0.0175 typ.,8 A, STripFET F6 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3 x 3.3 package Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOT STL8P4LLF6 40 V 0.0205 8 A 2.9 W 1 2 Very low on-resistance 3 4 Very low gate charge High avalanche ruggedness Low gate drive power loss PowerFLAT 3.3x3.3 Appl

Другие IGBT... STL86N3LLH6AG, STL8DN10LF3, STL8DN4LLF6, STL8DN6LF3, STL8N10F7, STL8N10LF3, STL8N80K5, STL8NH3LL, IRF9540N, STL8P4LLF6, STL90N10F7, STL9N60M2, STL9P2UH7, STV160NF02LAT4, STV160NF02LT4, STV160NF03LAT4, STV160NF03LT4