Справочник MOSFET. STL8P2UH7

 

STL8P2UH7 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STL8P2UH7
   Маркировка: 8L2U
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 22 nC
   trⓘ - Время нарастания: 30.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0225 Ohm
   Тип корпуса: POWERFLAT2X2

 Аналог (замена) для STL8P2UH7

 

 

STL8P2UH7 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:537K  st
 stl8p2uh7.pdf

STL8P2UH7 STL8P2UH7

STL8P2UH7 P-channel 20 V, 0.0195 typ., 8 A STripFET VII DeepGATE Power MOSFET in a PowerFLAT 2x2 package Datasheet - production data Features 123 Order code V R max I 6 DS DS(on) D15243 STL8P2UH7 20 V 0.0225 @ 4.5 V 8 A PowerFLAT 2x2 Extremely low on-resistance R DS(on) Ultra logic level Figure 1: Internal schematic diagram Applic

 9.1. Size:359K  st
 stl8p4llf6.pdf

STL8P2UH7 STL8P2UH7

STL8P4LLF6 P-channel 40 V, 0.0175 typ.,8 A, STripFET F6 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3 x 3.3 package Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOTSTL8P4LLF6 40 V 0.0205 8 A 2.9 W 12 Very low on-resistance 34 Very low gate charge High avalanche ruggedness Low gate drive power loss PowerFLAT 3.3x3.3Appl

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top