STL9P2UH7 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STL9P2UH7

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.9 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 30.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 220 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0225 Ohm

Encapsulados: POWERFLAT3.3X3.3

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STL9P2UH7 datasheet

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STL9P2UH7

STL9P2UH7 P-channel 20 V, 0.0195 typ., 9 A STripFET H7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3.3 package Datasheet - production data Very low on-resistance Very low capacitance and gate charge High avalanche ruggedness Applications Switching applications Description 1 2 This P-channel Power MOSFET utilizes the 3 STripFET H7 technology with a trench g

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