STL9P2UH7 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: STL9P2UH7
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.9 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 30.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0225 Ohm
Тип корпуса: POWERFLAT3.3X3.3
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
STL9P2UH7 Datasheet (PDF)
stl9p2uh7.pdf

STL9P2UH7 P-channel 20 V, 0.0195 typ., 9 A STripFET H7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3.3 package Datasheet - production data Very low on-resistance Very low capacitance and gate charge High avalanche ruggedness Applications Switching applications Description 12This P-channel Power MOSFET utilizes the 3STripFET H7 technology with a trench g
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: SQD25N06-22L | AP2306CGN-HF | BSC032N04LS | NTTFS5C454NLTAG | PJP6NA90 | GP1M009A060XX | NCE65NF050T
History: SQD25N06-22L | AP2306CGN-HF | BSC032N04LS | NTTFS5C454NLTAG | PJP6NA90 | GP1M009A060XX | NCE65NF050T



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
irf9540n | bd139 datasheet | irf9640 | 2n3053 | a1015 | mpsa42 | 2n5551 transistor | a1015 transistor