STL9P2UH7 - аналоги и даташиты транзистора

 

STL9P2UH7 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: STL9P2UH7
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0225 Ohm
   Тип корпуса: POWERFLAT3.3X3.3
 

 Аналог (замена) для STL9P2UH7

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STL9P2UH7 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:507K  st
 stl9p2uh7.pdf pdf_icon

STL9P2UH7

STL9P2UH7 P-channel 20 V, 0.0195 typ., 9 A STripFET H7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3.3 package Datasheet - production data Very low on-resistance Very low capacitance and gate charge High avalanche ruggedness Applications Switching applications Description 12This P-channel Power MOSFET utilizes the 3STripFET H7 technology with a trench g

Другие MOSFET... STL8N10F7 , STL8N10LF3 , STL8N80K5 , STL8NH3LL , STL8P2UH7 , STL8P4LLF6 , STL90N10F7 , STL9N60M2 , 12N60 , STV160NF02LAT4 , STV160NF02LT4 , STV160NF03LAT4 , STV160NF03LT4 , STV200N55F3 , STV60NE06-16 , STW10N105K5 , STW10N95K5 .

History: NTHS2101PT1G | 2SK412 | SSF5NS70G | STL58N3LLH5 | BSS192 | WMM180N03TS | AOC3860C

 

 
Back to Top

 


 
.