STL9P2UH7 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STL9P2UH7

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0225 Ohm

Тип корпуса: POWERFLAT3.3X3.3

Аналог (замена) для STL9P2UH7

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STL9P2UH7 даташит

 ..1. Size:507K  st
 stl9p2uh7.pdf pdf_icon

STL9P2UH7

STL9P2UH7 P-channel 20 V, 0.0195 typ., 9 A STripFET H7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3.3 package Datasheet - production data Very low on-resistance Very low capacitance and gate charge High avalanche ruggedness Applications Switching applications Description 1 2 This P-channel Power MOSFET utilizes the 3 STripFET H7 technology with a trench g

Другие IGBT... STL8N10F7, STL8N10LF3, STL8N80K5, STL8NH3LL, STL8P2UH7, STL8P4LLF6, STL90N10F7, STL9N60M2, K3569, STV160NF02LAT4, STV160NF02LT4, STV160NF03LAT4, STV160NF03LT4, STV200N55F3, STV60NE06-16, STW10N105K5, STW10N95K5