STV160NF02LAT4 Todos los transistores

 

STV160NF02LAT4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STV160NF02LAT4
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 210 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 15 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 160 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 650 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3210 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0027 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERSO-10
 

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STV160NF02LAT4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:346K  st
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STV160NF02LAT4

STV160NF02LAN-CHANNEL 20V - 0.0018 - 160A PowerSO-10STripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTV160NF02LA 20 V

 2.1. Size:546K  st
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STV160NF02LAT4

STV160NF02LAN-CHANNEL 20V - 0.0018 - 160A PowerSO-10STripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTV160NF02LA 20 V

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STV160NF02LAT4

STV160NF02LN-CHANNEL 20V - 0.0016 - 160A PowerSO-10STripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTV160NF02L 20 V

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STV160NF02LAT4

STV160NF02LN-CHANNEL 20V - 0.0016 - 160A PowerSO-10STripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTV160NF02L 20 V

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History: CJA03N10S | TK18A50D | RFP8P08 | NCE60N390F | AP15P10GS | OM6101ST

 

 
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