Справочник MOSFET. STV160NF02LAT4

 

STV160NF02LAT4 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STV160NF02LAT4
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 210 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 160 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 650 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 3210 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0027 Ohm
   Тип корпуса: POWERSO-10
 

 Аналог (замена) для STV160NF02LAT4

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STV160NF02LAT4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:346K  st
 stv160nf02lat4.pdf pdf_icon

STV160NF02LAT4

STV160NF02LAN-CHANNEL 20V - 0.0018 - 160A PowerSO-10STripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTV160NF02LA 20 V

 2.1. Size:546K  st
 stv160nf02la.pdf pdf_icon

STV160NF02LAT4

STV160NF02LAN-CHANNEL 20V - 0.0018 - 160A PowerSO-10STripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTV160NF02LA 20 V

 3.1. Size:350K  st
 stv160nf02lt4.pdf pdf_icon

STV160NF02LAT4

STV160NF02LN-CHANNEL 20V - 0.0016 - 160A PowerSO-10STripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTV160NF02L 20 V

 3.2. Size:537K  st
 stv160nf02l.pdf pdf_icon

STV160NF02LAT4

STV160NF02LN-CHANNEL 20V - 0.0016 - 160A PowerSO-10STripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTV160NF02L 20 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STL8N10LF3 , STL8N80K5 , STL8NH3LL , STL8P2UH7 , STL8P4LLF6 , STL90N10F7 , STL9N60M2 , STL9P2UH7 , 8205A , STV160NF02LT4 , STV160NF03LAT4 , STV160NF03LT4 , STV200N55F3 , STV60NE06-16 , STW10N105K5 , STW10N95K5 , STW10NA50 .

History: AP13N50R | HM30N03K | 2SK529 | CHM9926AJGP | MTP9575J3 | 2SK1212-01R | LSD60R180HT

 

 
Back to Top

 


 
.