STV160NF02LAT4 datasheet, аналоги, параметры транзистора

STV160NF02LAT4 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STV160NF02LAT4

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 210 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 15 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 160 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

tr ⓘ - Время нарастания: 650 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 3210 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0027 Ohm

Тип корпуса: POWERSO-10

Аналог (замена) для STV160NF02LAT4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

..1. Size:346K st
stv160nf02lat4.pdf pdf_icon

STV160NF02LA N-CHANNEL 20V - 0.0018 - 160A PowerSO-10 STripFET POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STV160NF02LA 20 V

2.1. Size:546K st
stv160nf02la.pdf pdf_icon

STV160NF02LA N-CHANNEL 20V - 0.0018 - 160A PowerSO-10 STripFET POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STV160NF02LA 20 V

3.1. Size:350K st
stv160nf02lt4.pdf pdf_icon

STV160NF02L N-CHANNEL 20V - 0.0016 - 160A PowerSO-10 STripFET II POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STV160NF02L 20 V

3.2. Size:537K st
stv160nf02l.pdf pdf_icon

STV160NF02L N-CHANNEL 20V - 0.0016 - 160A PowerSO-10 STripFET POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STV160NF02L 20 V