STV200N55F3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STV200N55F3
Código: 200N55F3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 200 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 100 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 150 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1450 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0025 Ohm
Paquete / Cubierta: POWERSO-10
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STV200N55F3 Datasheet (PDF)
..1. Size:485K st
stv200n55f3.pdf
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STV200N55F3N-channel 55 V, 1.8 m, 200 A, PowerSO-10STripFET Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS ID (1)max10STV200N55F3 55 V
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .