STV200N55F3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STV200N55F3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 200 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 150 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1450 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0025 Ohm
Paquete / Cubierta: POWERSO-10
Búsqueda de reemplazo de STV200N55F3 MOSFET
STV200N55F3 datasheet
stv200n55f3.pdf
STV200N55F3 N-channel 55 V, 1.8 m , 200 A, PowerSO-10 STripFET Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID (1) max 10 STV200N55F3 55 V
Otros transistores... STL8P4LLF6 , STL90N10F7 , STL9N60M2 , STL9P2UH7 , STV160NF02LAT4 , STV160NF02LT4 , STV160NF03LAT4 , STV160NF03LT4 , K4145 , STV60NE06-16 , STW10N105K5 , STW10N95K5 , STW10NA50 , STW11NB80 , STW12NA60 , STW12NM60N , STW13N60M2 .
History: AGM14N10AP | IRFY9130M | AGM303MNA | AGM306AP | AGM15N10D | AGM10N15R | AGM15T13A
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Liste
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