STV200N55F3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STV200N55F3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 200 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1450 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm

Тип корпуса: POWERSO-10

Аналог (замена) для STV200N55F3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STV200N55F3 даташит

 ..1. Size:485K  st
 stv200n55f3.pdf pdf_icon

STV200N55F3

STV200N55F3 N-channel 55 V, 1.8 m , 200 A, PowerSO-10 STripFET Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID (1) max 10 STV200N55F3 55 V

Другие IGBT... STL8P4LLF6, STL90N10F7, STL9N60M2, STL9P2UH7, STV160NF02LAT4, STV160NF02LT4, STV160NF03LAT4, STV160NF03LT4, K4145, STV60NE06-16, STW10N105K5, STW10N95K5, STW10NA50, STW11NB80, STW12NA60, STW12NM60N, STW13N60M2