STV200N55F3 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: STV200N55F3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 200 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1450 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm
Тип корпуса: POWERSO-10
Аналог (замена) для STV200N55F3
STV200N55F3 Datasheet (PDF)
..1. Size:485K st
stv200n55f3.pdf
stv200n55f3.pdf
STV200N55F3N-channel 55 V, 1.8 m, 200 A, PowerSO-10STripFET Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS ID (1)max10STV200N55F3 55 V
Другие MOSFET... STL8P4LLF6 , STL90N10F7 , STL9N60M2 , STL9P2UH7 , STV160NF02LAT4 , STV160NF02LT4 , STV160NF03LAT4 , STV160NF03LT4 , K4145 , STV60NE06-16 , STW10N105K5 , STW10N95K5 , STW10NA50 , STW11NB80 , STW12NA60 , STW12NM60N , STW13N60M2 .
History: MS65R620RR | RU1HE12L | MT04N004B
History: MS65R620RR | RU1HE12L | MT04N004B
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM608C | AGM6080D | AGM6080C | AGM6070A | AGM606S | AGM605Q | AGM605F | AGM605C | AGM605A | AGM603F | AGM603D | AGM603C | AGM6035F | AGM6035A | AGM602C | AGM40P75D
Popular searches
mpsa42 | 2n5551 transistor | a1015 transistor | c945 | ac128 transistor | 2n3055 transistor | 2n3904 datasheet | irf3710