STW11NB80 Todos los transistores

 

STW11NB80 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STW11NB80
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 190 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 350 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247
     - Selección de transistores por parámetros

 

STW11NB80 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:191K  st
 stw11nb80.pdf pdf_icon

STW11NB80

STW11NB80N-CHANNEL 800V - 0.65 - 11A - T0-247PowerMESH MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTW11NB80 800 V

 8.1. Size:943K  st
 stb11nm80 stf11nm80 stw11nm80 stp11nm80.pdf pdf_icon

STW11NB80

STB11NM80, STF11NM80STP11NM80, STW11NM80N-channel 800 V, 0.35 , 11 A MDmesh Power MOSFETTO-220, TO-220FP, D2PAK, TO-247FeaturesRDS(on) Type VDSS RDS(on)*Qg IDmax313STB11NM802DPAK1STF11NM80TO-247800 V

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STW11NB80

STW11NK90ZN-channel 900V - 0.82 - 9.2A - TO-247Zener-protected SuperMESH Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) ID PwSTW11NK90Z 900V

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 stb11nm80 stf11nm80 sti11nm80 stp11nm80 stw11nm80.pdf pdf_icon

STW11NB80

STB11NM80, STF11NM80STI11NM80, STP11NM80, STW11NM80N-channel 800 V, 0.35 , 11 A MDmesh Power MOSFETin DPAK, TO-220FP, IPAK, TO-220, TO-247FeaturesRDS(on) Order codes VDSS RDS(on)*Qg IDmax3312STB11NM801DPAKTO-220FPSTF11NM80STI11NM80 800 V

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History: SLD70R900S2 | NCEP070N10GU | 2SK2907-01 | RJK0629DPK | WMQ46N03T1 | RUH1H130S | FDB6690S

 

 
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