STW11NB80 - аналоги и даташиты транзистора

 

STW11NB80 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: STW11NB80
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
 

 Аналог (замена) для STW11NB80

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STW11NB80 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:191K  st
 stw11nb80.pdf pdf_icon

STW11NB80

STW11NB80N-CHANNEL 800V - 0.65 - 11A - T0-247PowerMESH MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTW11NB80 800 V

 8.1. Size:943K  st
 stb11nm80 stf11nm80 stw11nm80 stp11nm80.pdf pdf_icon

STW11NB80

STB11NM80, STF11NM80STP11NM80, STW11NM80N-channel 800 V, 0.35 , 11 A MDmesh Power MOSFETTO-220, TO-220FP, D2PAK, TO-247FeaturesRDS(on) Type VDSS RDS(on)*Qg IDmax313STB11NM802DPAK1STF11NM80TO-247800 V

 8.2. Size:241K  st
 stw11nk90z.pdf pdf_icon

STW11NB80

STW11NK90ZN-channel 900V - 0.82 - 9.2A - TO-247Zener-protected SuperMESH Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) ID PwSTW11NK90Z 900V

 8.3. Size:904K  st
 stb11nm80 stf11nm80 sti11nm80 stp11nm80 stw11nm80.pdf pdf_icon

STW11NB80

STB11NM80, STF11NM80STI11NM80, STP11NM80, STW11NM80N-channel 800 V, 0.35 , 11 A MDmesh Power MOSFETin DPAK, TO-220FP, IPAK, TO-220, TO-247FeaturesRDS(on) Order codes VDSS RDS(on)*Qg IDmax3312STB11NM801DPAKTO-220FPSTF11NM80STI11NM80 800 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STV160NF02LT4 , STV160NF03LAT4 , STV160NF03LT4 , STV200N55F3 , STV60NE06-16 , STW10N105K5 , STW10N95K5 , STW10NA50 , IRF530 , STW12NA60 , STW12NM60N , STW13N60M2 , STW13N80K5 , STW13NB60 , STW13NK80Z , STW13NM50N , STW14NK60Z .

History: STW13NK80Z | WMO25P06T1

 

 
Back to Top

 


 
.