STW11NB80 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STW11NB80

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm

Тип корпуса: TO-247

Аналог (замена) для STW11NB80

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STW11NB80 даташит

 ..1. Size:191K  st
 stw11nb80.pdf pdf_icon

STW11NB80

STW11NB80 N-CHANNEL 800V - 0.65 - 11A - T0-247 PowerMESH MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STW11NB80 800 V

 8.1. Size:943K  st
 stb11nm80 stf11nm80 stw11nm80 stp11nm80.pdf pdf_icon

STW11NB80

STB11NM80, STF11NM80 STP11NM80, STW11NM80 N-channel 800 V, 0.35 , 11 A MDmesh Power MOSFET TO-220, TO-220FP, D2PAK, TO-247 Features RDS(on) Type VDSS RDS(on)*Qg ID max 3 1 3 STB11NM80 2 D PAK 1 STF11NM80 TO-247 800 V

 8.2. Size:241K  st
 stw11nk90z.pdf pdf_icon

STW11NB80

STW11NK90Z N-channel 900V - 0.82 - 9.2A - TO-247 Zener-protected SuperMESH Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID Pw STW11NK90Z 900V

 8.3. Size:904K  st
 stb11nm80 stf11nm80 sti11nm80 stp11nm80 stw11nm80.pdf pdf_icon

STW11NB80

STB11NM80, STF11NM80 STI11NM80, STP11NM80, STW11NM80 N-channel 800 V, 0.35 , 11 A MDmesh Power MOSFET in D PAK, TO-220FP, I PAK, TO-220, TO-247 Features RDS(on) Order codes VDSS RDS(on)*Qg ID max 3 3 1 2 STB11NM80 1 D PAK TO-220FP STF11NM80 STI11NM80 800 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STV160NF02LT4, STV160NF03LAT4, STV160NF03LT4, STV200N55F3, STV60NE06-16, STW10N105K5, STW10N95K5, STW10NA50, IRF1010E, STW12NA60, STW12NM60N, STW13N60M2, STW13N80K5, STW13NB60, STW13NK80Z, STW13NM50N, STW14NK60Z