STW12NA60 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STW12NA60

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 190 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 310 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm

Encapsulados: TO-247

Búsqueda de reemplazo de STW12NA60 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

STW12NA60 datasheet

..1. Size:545K st
stw12na60.pdf pdf_icon

DataSheet4U.com DataSheet4U.com DataShee DataSheet4U.com DataSheet4U.com

7.1. Size:338K st
stw12na50.pdf pdf_icon

STW12NA50 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STW12NA50 500 V

7.2. Size:147K st
stw12na50-.pdf pdf_icon

STW12NA50 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE V R I DSS DS(on) D STW12NA50 500 V

8.1. Size:271K st
stw12nk90z.pdf pdf_icon

STW12NK90Z N-channel 900V - 0.72 - 11A - TO-247 Zener-protected SuperMESH Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID pW STW12NK90Z 900V