STW12NA60 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: STW12NA60
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
Тип корпуса: TO-247
Аналог (замена) для STW12NA60
STW12NA60 Datasheet (PDF)
stw12na60.pdf

DataSheet4U.com DataSheet4U.comDataSheeDataSheet4U.com DataSheet4U.com
stw12na50.pdf

STW12NA50N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTW12NA50 500 V
stw12na50-.pdf

STW12NA50N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTW12NA50 500 V
stw12nk90z.pdf

STW12NK90ZN-channel 900V - 0.72 - 11A - TO-247Zener-protected SuperMESH Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) ID pWSTW12NK90Z 900V
Другие MOSFET... STV160NF03LAT4 , STV160NF03LT4 , STV200N55F3 , STV60NE06-16 , STW10N105K5 , STW10N95K5 , STW10NA50 , STW11NB80 , IRF1407 , STW12NM60N , STW13N60M2 , STW13N80K5 , STW13NB60 , STW13NK80Z , STW13NM50N , STW14NK60Z , STW14NM50 .
History: HY1808AB | NTMFD5C650NLT1G | SIZ790DT | XP151A13A0MR-G | STD2NK90ZT4 | WMM22N50C4 | SM6A12NSF
History: HY1808AB | NTMFD5C650NLT1G | SIZ790DT | XP151A13A0MR-G | STD2NK90ZT4 | WMM22N50C4 | SM6A12NSF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2n3904 datasheet | irf3710 | tip3055 | mosfet datasheet | irf3205 datasheet | irf5210 | mj15024 | 2n2219