Справочник MOSFET. STW12NA60

 

STW12NA60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STW12NA60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
 

 Аналог (замена) для STW12NA60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STW12NA60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:545K  st
stw12na60.pdfpdf_icon

STW12NA60

DataSheet4U.com DataSheet4U.comDataSheeDataSheet4U.com DataSheet4U.com

 7.1. Size:338K  st
stw12na50.pdfpdf_icon

STW12NA60

STW12NA50N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTW12NA50 500 V

 7.2. Size:147K  st
stw12na50-.pdfpdf_icon

STW12NA60

STW12NA50N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTW12NA50 500 V

 8.1. Size:271K  st
stw12nk90z.pdfpdf_icon

STW12NA60

STW12NK90ZN-channel 900V - 0.72 - 11A - TO-247Zener-protected SuperMESH Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) ID pWSTW12NK90Z 900V

Другие MOSFET... STV160NF03LAT4 , STV160NF03LT4 , STV200N55F3 , STV60NE06-16 , STW10N105K5 , STW10N95K5 , STW10NA50 , STW11NB80 , AON7506 , STW12NM60N , STW13N60M2 , STW13N80K5 , STW13NB60 , STW13NK80Z , STW13NM50N , STW14NK60Z , STW14NM50 .

History: STB100NF04T4 | AP2309GN | 15N12

 

 
Back to Top

 


 
.