STW12NA60 datasheet, аналоги, параметры транзистора

STW12NA60 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STW12NA60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm

Тип корпуса: TO-247

Аналог (замена) для STW12NA60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

..1. Size:545K st
stw12na60.pdf pdf_icon

DataSheet4U.com DataSheet4U.com DataShee DataSheet4U.com DataSheet4U.com

7.1. Size:338K st
stw12na50.pdf pdf_icon

STW12NA50 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STW12NA50 500 V

7.2. Size:147K st
stw12na50-.pdf pdf_icon

STW12NA50 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE V R I DSS DS(on) D STW12NA50 500 V

8.1. Size:271K st
stw12nk90z.pdf pdf_icon

STW12NK90Z N-channel 900V - 0.72 - 11A - TO-247 Zener-protected SuperMESH Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID pW STW12NK90Z 900V