Справочник MOSFET. STW12NA60

 

STW12NA60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STW12NA60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STW12NA60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:545K  st
stw12na60.pdfpdf_icon

STW12NA60

DataSheet4U.com DataSheet4U.comDataSheeDataSheet4U.com DataSheet4U.com

 7.1. Size:338K  st
stw12na50.pdfpdf_icon

STW12NA60

STW12NA50N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTW12NA50 500 V

 7.2. Size:147K  st
stw12na50-.pdfpdf_icon

STW12NA60

STW12NA50N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTW12NA50 500 V

 8.1. Size:271K  st
stw12nk90z.pdfpdf_icon

STW12NA60

STW12NK90ZN-channel 900V - 0.72 - 11A - TO-247Zener-protected SuperMESH Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) ID pWSTW12NK90Z 900V

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: NP82N04MDG | IXTT360N055T2 | WMK18N50C4 | BUK9Y4R4-40E | APQ06SN65AF | IXTQ76N25T | KRF7401

 

 
Back to Top

 


 
.