STW12NM60N Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STW12NM60N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 90 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.41 Ohm

Encapsulados: TO-247

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STW12NM60N datasheet

 ..1. Size:615K  st
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STW12NM60N

STB12NM60N/-1 - STF12NM60N STP12NM60N - STW12NM60N N-channel 600V - 0.35 - 10A - D2/I2PAK - TO-220/FP - TO-247 Second generation MDmesh Power MOSFET Features VDSS Type RDS(on) ID 3 (@Tjmax) 3 1 2 1 STB12NM60N 650V

 ..2. Size:618K  st
 stb12nm60n-1 stf12nm60n stp12nm60n stw12nm60n.pdf pdf_icon

STW12NM60N

STB12NM60N/-1 - STF12NM60N STP12NM60N - STW12NM60N N-channel 600V - 0.35 - 10A - D2/I2PAK - TO-220/FP - TO-247 Second generation MDmesh Power MOSFET Features VDSS Type RDS(on) ID 3 (@Tjmax) 3 1 2 1 STB12NM60N 650V

 8.1. Size:271K  st
 stw12nk90z.pdf pdf_icon

STW12NM60N

STW12NK90Z N-channel 900V - 0.72 - 11A - TO-247 Zener-protected SuperMESH Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID pW STW12NK90Z 900V

 8.2. Size:338K  st
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STW12NM60N

STW12NA50 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STW12NA50 500 V

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