STW12NM60N datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STW12NM60N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.41 Ohm

Тип корпуса: TO-247

Аналог (замена) для STW12NM60N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STW12NM60N даташит

 ..1. Size:615K  st
 stb12nm60n-1 stb12nm60n stf12nm60n stp12nm60n stw12nm60n.pdf pdf_icon

STW12NM60N

STB12NM60N/-1 - STF12NM60N STP12NM60N - STW12NM60N N-channel 600V - 0.35 - 10A - D2/I2PAK - TO-220/FP - TO-247 Second generation MDmesh Power MOSFET Features VDSS Type RDS(on) ID 3 (@Tjmax) 3 1 2 1 STB12NM60N 650V

 ..2. Size:618K  st
 stb12nm60n-1 stf12nm60n stp12nm60n stw12nm60n.pdf pdf_icon

STW12NM60N

STB12NM60N/-1 - STF12NM60N STP12NM60N - STW12NM60N N-channel 600V - 0.35 - 10A - D2/I2PAK - TO-220/FP - TO-247 Second generation MDmesh Power MOSFET Features VDSS Type RDS(on) ID 3 (@Tjmax) 3 1 2 1 STB12NM60N 650V

 8.1. Size:271K  st
 stw12nk90z.pdf pdf_icon

STW12NM60N

STW12NK90Z N-channel 900V - 0.72 - 11A - TO-247 Zener-protected SuperMESH Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID pW STW12NK90Z 900V

 8.2. Size:338K  st
 stw12na50.pdf pdf_icon

STW12NM60N

STW12NA50 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STW12NA50 500 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STV160NF03LT4, STV200N55F3, STV60NE06-16, STW10N105K5, STW10N95K5, STW10NA50, STW11NB80, STW12NA60, AON6380, STW13N60M2, STW13N80K5, STW13NB60, STW13NK80Z, STW13NM50N, STW14NK60Z, STW14NM50, STW14NM50FD