Справочник MOSFET. STW12NM60N

 

STW12NM60N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STW12NM60N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.41 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
 

 Аналог (замена) для STW12NM60N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STW12NM60N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:615K  st
stb12nm60n-1 stb12nm60n stf12nm60n stp12nm60n stw12nm60n.pdfpdf_icon

STW12NM60N

STB12NM60N/-1 - STF12NM60NSTP12NM60N - STW12NM60NN-channel 600V - 0.35 - 10A - D2/I2PAK - TO-220/FP - TO-247Second generation MDmesh Power MOSFETFeaturesVDSS Type RDS(on) ID3(@Tjmax)31 21STB12NM60N 650V

 ..2. Size:618K  st
stb12nm60n-1 stf12nm60n stp12nm60n stw12nm60n.pdfpdf_icon

STW12NM60N

STB12NM60N/-1 - STF12NM60NSTP12NM60N - STW12NM60NN-channel 600V - 0.35 - 10A - D2/I2PAK - TO-220/FP - TO-247Second generation MDmesh Power MOSFETFeaturesVDSS Type RDS(on) ID3(@Tjmax)31 21STB12NM60N 650V

 8.1. Size:271K  st
stw12nk90z.pdfpdf_icon

STW12NM60N

STW12NK90ZN-channel 900V - 0.72 - 11A - TO-247Zener-protected SuperMESH Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) ID pWSTW12NK90Z 900V

 8.2. Size:338K  st
stw12na50.pdfpdf_icon

STW12NM60N

STW12NA50N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTW12NA50 500 V

Другие MOSFET... STV160NF03LT4 , STV200N55F3 , STV60NE06-16 , STW10N105K5 , STW10N95K5 , STW10NA50 , STW11NB80 , STW12NA60 , IRLZ44N , STW13N60M2 , STW13N80K5 , STW13NB60 , STW13NK80Z , STW13NM50N , STW14NK60Z , STW14NM50 , STW14NM50FD .

 

 
Back to Top

 


 
.