STW19NM60N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STW19NM60N
Código: 19NM60N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 35 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.285 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-247
Búsqueda de reemplazo de MOSFET STW19NM60N
STW19NM60N Datasheet (PDF)
stw19nm60n.pdf
STW19NM60NAutomotive-grade N-channel 600 V, 0.26 typ., 13 A MDmesh II Power MOSFET in a TO-247 packageDatasheet - production dataFeatures VDS RDS(on) Order code ID PTOT(@Tjmax) max.STW19NM60N 650 V 0.285 13 A 110 W Designed for automotive applications and 3AEC-Q101 qualified21 100% avalanche testedTO-247 Low input capacitance and gate charge
stb19nm65n sti19nm65n stf19nm65n stp19nm65n stw19nm65n.pdf
STF19NM65N-STI19NM65N-STW19NM65NSTB19NM65N - STP19NM65NN-channel 650 V - 0.25 - 15.5 A - TO-220/FP-D2/I2PAK-TO-247second generation MDmesh Power MOSFETFeaturesVDSS Type RDS(on) max ID(@Tjmax)323121STB19NM65N 710 V
stb19nm65n stf19nm65n sti19nm65n stp19nm65n stw19nm65n.pdf
STF19NM65N-STI19NM65N-STW19NM65NSTB19NM65N - STP19NM65NN-channel 650 V - 0.25 - 15.5 A - TO-220/FP-D2/I2PAK-TO-247second generation MDmesh Power MOSFETFeaturesVDSS Type RDS(on) max ID(@Tjmax)323121STB19NM65N 710 V
stf19nm50n stp19nm50n stw19nm50n.pdf
STF19NM50NSTP19NM50N, STW19NM50NN-channel 500 V, 0.2 , 14 A MDmesh II Power MOSFETin TO-220FP, TO-220 and TO-247FeaturesVDSS @ RDS(on) Type IDTJmax max33STF19NM50N2211STP19NM50N 550 V
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