STW19NM60N datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STW19NM60N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.285 Ohm

Тип корпуса: TO-247

Аналог (замена) для STW19NM60N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STW19NM60N даташит

 ..1. Size:1016K  st
 stw19nm60n.pdf pdf_icon

STW19NM60N

 6.1. Size:543K  st
 stb19nm65n sti19nm65n stf19nm65n stp19nm65n stw19nm65n.pdf pdf_icon

STW19NM60N

STF19NM65N-STI19NM65N-STW19NM65N STB19NM65N - STP19NM65N N-channel 650 V - 0.25 - 15.5 A - TO-220/FP-D2/I2PAK-TO-247 second generation MDmesh Power MOSFET Features VDSS Type RDS(on) max ID (@Tjmax) 3 2 3 1 2 1 STB19NM65N 710 V

 6.2. Size:538K  st
 stb19nm65n stf19nm65n sti19nm65n stp19nm65n stw19nm65n.pdf pdf_icon

STW19NM60N

STF19NM65N-STI19NM65N-STW19NM65N STB19NM65N - STP19NM65N N-channel 650 V - 0.25 - 15.5 A - TO-220/FP-D2/I2PAK-TO-247 second generation MDmesh Power MOSFET Features VDSS Type RDS(on) max ID (@Tjmax) 3 2 3 1 2 1 STB19NM65N 710 V

 7.1. Size:709K  st
 stf19nm50n stp19nm50n stw19nm50n.pdf pdf_icon

STW19NM60N

STF19NM50N STP19NM50N, STW19NM50N N-channel 500 V, 0.2 , 14 A MDmesh II Power MOSFET in TO-220FP, TO-220 and TO-247 Features VDSS @ RDS(on) Type ID TJmax max 3 3 STF19NM50N 2 2 1 1 STP19NM50N 550 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STW15NB50, STW15NM60N, STW16NM50N, STW18N60M2, STW18N65M5, STW18NK60Z, STW18NK80Z, STW18NM60ND, IRF520, STW19NM65N, STW200NF03, STW20N65M5, STW20NB50, STW20NK70Z, STW20NM65N, STW21NM50N, STW21NM60N