STW32NM50N Todos los transistores

 

STW32NM50N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STW32NM50N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 190 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 179 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.13 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247
 

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STW32NM50N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1168K  st
 stb32nm50n stf32nm50n stp32nm50n stw32nm50n.pdf pdf_icon

STW32NM50N

STB32NM50N, STF32NM50N,STP32NM50N, STW32NM50NN-channel 500 V, 0.1 typ., 22 A MDmesh II Power MOSFET in DPAK, TO-220FP, TO-220, TO-247 packagesDatasheet production dataFeaturesTABRDS(on) Order codes VDS ID PTOT2max.3132STB32NM50N 190 W1DPAKTO-220FPSTF32NM50N 35 W500 V 0.13 22 ASTP32NM50N 190 WTABSTW32NM50N 190 W 100% avalanche t

 8.1. Size:1086K  st
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STW32NM50N

STB32N65M5, STF32N65M5, STI32N65M5STP32N65M5, STW32N65M5N-channel 650 V, 0.095 , 24 A, MDmesh V Power MOSFETin D2PAK, I2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247FeaturesVDSS@ Type RDS(on) max IDTJmax 33123 12STB32N65M5 710 V

 8.2. Size:277K  st
 stp32n55m5 stw32n55m5.pdf pdf_icon

STW32NM50N

STP32N55M5, STW32N55M5N-channel 550 V, 0.074 , 29 A, MDmesh V Power MOSFETin TO-220 and TO-247Preliminary dataFeaturesVDSS RDS(on) Order codes ID@TJmax maxSTP32N55M5550 V

Otros transistores... STW28NM60ND , STW29NK50Z , STW29NK50ZD , STW30N20 , STW30NM60D , STW30NM60N , STW30NM60ND , STW31N65M5 , IRF740 , STW33N20 , STW33N60M2 , STW34N65M5 , STW36N55M5 , STW36NM60ND , STW38N65M5 , STW38NB20 , STW3N170 .

History: SVF5N65D | 2SK3352B | 2SK2972 | MDP15N60GTH

 

 
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