Справочник MOSFET. STW32NM50N

 

STW32NM50N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STW32NM50N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 179 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
 

 Аналог (замена) для STW32NM50N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STW32NM50N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1168K  st
 stb32nm50n stf32nm50n stp32nm50n stw32nm50n.pdf pdf_icon

STW32NM50N

STB32NM50N, STF32NM50N,STP32NM50N, STW32NM50NN-channel 500 V, 0.1 typ., 22 A MDmesh II Power MOSFET in DPAK, TO-220FP, TO-220, TO-247 packagesDatasheet production dataFeaturesTABRDS(on) Order codes VDS ID PTOT2max.3132STB32NM50N 190 W1DPAKTO-220FPSTF32NM50N 35 W500 V 0.13 22 ASTP32NM50N 190 WTABSTW32NM50N 190 W 100% avalanche t

 8.1. Size:1086K  st
 stb32n65m5 stf32n65m5 sti32n65m5 stp32n65m5 stw32n65m5.pdf pdf_icon

STW32NM50N

STB32N65M5, STF32N65M5, STI32N65M5STP32N65M5, STW32N65M5N-channel 650 V, 0.095 , 24 A, MDmesh V Power MOSFETin D2PAK, I2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247FeaturesVDSS@ Type RDS(on) max IDTJmax 33123 12STB32N65M5 710 V

 8.2. Size:277K  st
 stp32n55m5 stw32n55m5.pdf pdf_icon

STW32NM50N

STP32N55M5, STW32N55M5N-channel 550 V, 0.074 , 29 A, MDmesh V Power MOSFETin TO-220 and TO-247Preliminary dataFeaturesVDSS RDS(on) Order codes ID@TJmax maxSTP32N55M5550 V

Другие MOSFET... STW28NM60ND , STW29NK50Z , STW29NK50ZD , STW30N20 , STW30NM60D , STW30NM60N , STW30NM60ND , STW31N65M5 , IRF740 , STW33N20 , STW33N60M2 , STW34N65M5 , STW36N55M5 , STW36NM60ND , STW38N65M5 , STW38NB20 , STW3N170 .

History: 2SK3217-01MR

 

 
Back to Top

 


 
.