STW33N60M2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STW33N60M2
   Código: 33N60M2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 190 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 26 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 45.5 nC
   Tiempo de subida (tr): 9.6 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 85 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.125 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247

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STW33N60M2 Datasheet (PDF)

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STF33N60M2, STI33N60M2, STP33N60M2, STW33N60M2N-channel 600 V, 0.108 typ., 26 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in TO-220FP, I2PAK, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet - production dataFeaturesTABVDS @ RDS(on) Order codes ID32 3TJmax max1212I PAKTO-220FPSTF33N60M2 26 A(1)TABSTI33N60M2650 V 0.125 STP33N60M2 26 ASTW33N60M233221

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STB33N60DM2, STP33N60DM2, STW33N60DM2 N-channel 600 V, 0.110 typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in DPAK, TO-220 and TO-247 packages Datasheet - production data Features Order code V @ T R max. I DS Jmax. DS(on) DSTB33N60DM2 650 V 0.130 24 A STP33N60DM2 650 V 0.130 24 A STW33N60DM2 650 V 0.130 24 A Fast-recovery body diode Extremely low gate charg

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