STW33N60M2 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

STW33N60M2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STW33N60M2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 190 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 26 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.125 Ohm

Encapsulados: TO-247

Búsqueda de reemplazo de STW33N60M2 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

STW33N60M2 datasheet

..1. Size:1110K st
stf33n60m2 sti33n60m2 stp33n60m2 stw33n60m2.pdf pdf_icon

STF33N60M2, STI33N60M2, STP33N60M2, STW33N60M2 N-channel 600 V, 0.108 typ., 26 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in TO-220FP, I2PAK, TO-220 and TO-247 packages Datasheet - production data Features TAB VDS @ RDS(on) Order codes ID 3 2 3 TJmax max 1 2 1 2 I PAK TO-220FP STF33N60M2 26 A(1) TAB STI33N60M2 650 V 0.125 STP33N60M2 26 A STW33N60M2 3 3 2 2 1

6.1. Size:912K st
stb33n60dm2 stp33n60dm2 stw33n60dm2.pdf pdf_icon

STB33N60DM2, STP33N60DM2, STW33N60DM2 N-channel 600 V, 0.110 typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D PAK, TO-220 and TO-247 packages Datasheet - production data Features Order code V @ T R max. I DS Jmax. DS(on) D STB33N60DM2 650 V 0.130 24 A STP33N60DM2 650 V 0.130 24 A STW33N60DM2 650 V 0.130 24 A Fast-recovery body diode Extremely low gate charg

8.1. Size:332K 1
sth33n20 sth33n20fi stw33n20.pdf pdf_icon

8.2. Size:326K st
stw33n20.pdf pdf_icon

Otros transistores... STW29NK50ZD, STW30N20, STW30NM60D, STW30NM60N, STW30NM60ND, STW31N65M5, STW32NM50N, STW33N20, 20N60, STW34N65M5, STW36N55M5, STW36NM60ND, STW38N65M5, STW38NB20, STW3N170, STW40N20, STW40N60M2

STW33N60M2 Todos los transistores