STW33N60M2 - аналоги и даташиты транзистора

 

STW33N60M2 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: STW33N60M2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.125 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
 

 Аналог (замена) для STW33N60M2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STW33N60M2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1110K  st
 stf33n60m2 sti33n60m2 stp33n60m2 stw33n60m2.pdf pdf_icon

STW33N60M2

STF33N60M2, STI33N60M2, STP33N60M2, STW33N60M2N-channel 600 V, 0.108 typ., 26 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in TO-220FP, I2PAK, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet - production dataFeaturesTABVDS @ RDS(on) Order codes ID32 3TJmax max1212I PAKTO-220FPSTF33N60M2 26 A(1)TABSTI33N60M2650 V 0.125 STP33N60M2 26 ASTW33N60M233221

 6.1. Size:912K  st
 stb33n60dm2 stp33n60dm2 stw33n60dm2.pdf pdf_icon

STW33N60M2

STB33N60DM2, STP33N60DM2, STW33N60DM2 N-channel 600 V, 0.110 typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in DPAK, TO-220 and TO-247 packages Datasheet - production data Features Order code V @ T R max. I DS Jmax. DS(on) DSTB33N60DM2 650 V 0.130 24 A STP33N60DM2 650 V 0.130 24 A STW33N60DM2 650 V 0.130 24 A Fast-recovery body diode Extremely low gate charg

 8.1. Size:332K  1
 sth33n20 sth33n20fi stw33n20.pdf pdf_icon

STW33N60M2

 8.2. Size:326K  st
 stw33n20.pdf pdf_icon

STW33N60M2

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STW29NK50ZD , STW30N20 , STW30NM60D , STW30NM60N , STW30NM60ND , STW31N65M5 , STW32NM50N , STW33N20 , 20N60 , STW34N65M5 , STW36N55M5 , STW36NM60ND , STW38N65M5 , STW38NB20 , STW3N170 , STW40N20 , STW40N60M2 .

History: SWYS069R10VS

 

 
Back to Top

 


 
.