STW50NB20 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STW50NB20

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 280 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 65 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 900 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm

Encapsulados: TO-247

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STW50NB20 datasheet

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STW50NB20

STW50NB20 N - CHANNEL 200V - 0.047 - 50A - TO-247 PowerMESH MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STW50NB20 200 V

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STW50NB20

STW50N65DM2AG Automotive-grade N-channel 650 V, 0.070 typ., 38 A Power MOSFET MDmesh DM2 in a TO-247 package Datasheet - production data Features R DS(on) Order code V I P DS D TOT max. STW50N65DM2AG 650 V 0.087 38 A 300 W AEC-Q101 qualified 3 Fast-recovery body diode 2 Extremely low gate charge and input 1 capacitance Low on-resistance

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STW50NB20

STW50N10 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STW50N10 100 V

Otros transistores... STW40N60M2, STW40N65M2, STW40N95K5, STW43NM50N, STW45N65M5, STW46NF30, STW48N60M2, STW48N60M2-4, AON6414A, STW54NK30Z, STW55NM50N, STW56N60M2, STW56N60M2-4, STW56N65M2, STW56N65M2-4, STW57N65M5, STW57N65M5-4