STW50NB20 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: STW50NB20
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 280 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 900 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm
Тип корпуса: TO-247
Аналог (замена) для STW50NB20
STW50NB20 Datasheet (PDF)
stw50nb20.pdf
STW50NB20N - CHANNEL 200V - 0.047 - 50A - TO-247PowerMESH MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTW50NB20 200 V
stw50n65dm2ag.pdf
STW50N65DM2AG Automotive-grade N-channel 650 V, 0.070 typ., 38 A Power MOSFET MDmesh DM2 in a TO-247 package Datasheet - production data Features R DS(on)Order code V I P DS D TOTmax. STW50N65DM2AG 650 V 0.087 38 A 300 W AEC-Q101 qualified 3 Fast-recovery body diode 2 Extremely low gate charge and input 1capacitance Low on-resistance
stw50n10.pdf
STW50N10N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTW50N10 100 V
Другие MOSFET... STW40N60M2 , STW40N65M2 , STW40N95K5 , STW43NM50N , STW45N65M5 , STW46NF30 , STW48N60M2 , STW48N60M2-4 , AON6414A , STW54NK30Z , STW55NM50N , STW56N60M2 , STW56N60M2-4 , STW56N65M2 , STW56N65M2-4 , STW57N65M5 , STW57N65M5-4 .
History: STW48N60M2-4 | JCS110N07 | JCS10N80F | JCS10N70CH | AM7320N | STW55NM50N | WFP10N65
History: STW48N60M2-4 | JCS110N07 | JCS10N80F | JCS10N70CH | AM7320N | STW55NM50N | WFP10N65
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM40P75D | AGM40P75A | AGM40P65E | AGM40P65AP | AGM40P55D | AGM40P55AP | AGM40P55A | AGM40P35D | AGM40P35AP | AGM40P35A-KU | AGM40P35A | AGM40P30D | AGM40P30AP | AGM40P30A | AGM60P20R | AGM60P20D
Popular searches
2sc828 | 2n4125 | tip42c transistor | c1815 transistor datasheet | mj15003 | 2sa1015 | ksc3503 | c945 transistor datasheet