STW50NB20. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STW50NB20

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 280 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 900 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm

Тип корпуса: TO-247

Аналог (замена) для STW50NB20

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STW50NB20 даташит

 ..1. Size:195K  st
 stw50nb20.pdf pdf_icon

STW50NB20

STW50NB20 N - CHANNEL 200V - 0.047 - 50A - TO-247 PowerMESH MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STW50NB20 200 V

 8.1. Size:712K  st
 stw50n65dm2ag.pdf pdf_icon

STW50NB20

STW50N65DM2AG Automotive-grade N-channel 650 V, 0.070 typ., 38 A Power MOSFET MDmesh DM2 in a TO-247 package Datasheet - production data Features R DS(on) Order code V I P DS D TOT max. STW50N65DM2AG 650 V 0.087 38 A 300 W AEC-Q101 qualified 3 Fast-recovery body diode 2 Extremely low gate charge and input 1 capacitance Low on-resistance

 8.2. Size:307K  st
 stw50n10.pdf pdf_icon

STW50NB20

STW50N10 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STW50N10 100 V

Другие IGBT... STW40N60M2, STW40N65M2, STW40N95K5, STW43NM50N, STW45N65M5, STW46NF30, STW48N60M2, STW48N60M2-4, AON6414A, STW54NK30Z, STW55NM50N, STW56N60M2, STW56N60M2-4, STW56N65M2, STW56N65M2-4, STW57N65M5, STW57N65M5-4