Справочник MOSFET. STW50NB20

 

STW50NB20 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STW50NB20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 280 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 65 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 900 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STW50NB20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:195K  st
 stw50nb20.pdf pdf_icon

STW50NB20

STW50NB20N - CHANNEL 200V - 0.047 - 50A - TO-247PowerMESH MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTW50NB20 200 V

 8.1. Size:712K  st
 stw50n65dm2ag.pdf pdf_icon

STW50NB20

STW50N65DM2AG Automotive-grade N-channel 650 V, 0.070 typ., 38 A Power MOSFET MDmesh DM2 in a TO-247 package Datasheet - production data Features R DS(on)Order code V I P DS D TOTmax. STW50N65DM2AG 650 V 0.087 38 A 300 W AEC-Q101 qualified 3 Fast-recovery body diode 2 Extremely low gate charge and input 1capacitance Low on-resistance

 8.2. Size:307K  st
 stw50n10.pdf pdf_icon

STW50NB20

STW50N10N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTW50N10 100 V

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: LNH05R155 | ZVP0535A

 

 
Back to Top

 


 
.