Справочник MOSFET. STW50NB20

 

STW50NB20 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STW50NB20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 280 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 84 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 900 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
 

 Аналог (замена) для STW50NB20

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STW50NB20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:195K  st
 stw50nb20.pdf pdf_icon

STW50NB20

STW50NB20N - CHANNEL 200V - 0.047 - 50A - TO-247PowerMESH MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTW50NB20 200 V

 8.1. Size:712K  st
 stw50n65dm2ag.pdf pdf_icon

STW50NB20

STW50N65DM2AG Automotive-grade N-channel 650 V, 0.070 typ., 38 A Power MOSFET MDmesh DM2 in a TO-247 package Datasheet - production data Features R DS(on)Order code V I P DS D TOTmax. STW50N65DM2AG 650 V 0.087 38 A 300 W AEC-Q101 qualified 3 Fast-recovery body diode 2 Extremely low gate charge and input 1capacitance Low on-resistance

 8.2. Size:307K  st
 stw50n10.pdf pdf_icon

STW50NB20

STW50N10N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTW50N10 100 V

Другие MOSFET... STW40N60M2 , STW40N65M2 , STW40N95K5 , STW43NM50N , STW45N65M5 , STW46NF30 , STW48N60M2 , STW48N60M2-4 , IRFB4110 , STW54NK30Z , STW55NM50N , STW56N60M2 , STW56N60M2-4 , STW56N65M2 , STW56N65M2-4 , STW57N65M5 , STW57N65M5-4 .

History: 2SK2730

 

 
Back to Top

 


 
.