STW55NM50N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STW55NM50N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 350 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 54 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 370 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.054 Ohm

Encapsulados: TO-247

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STW55NM50N datasheet

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STW55NM50N

STW55NM50N N-channel 500 V, 0.040 , 54 A, MDmesh II Power MOSFET TO-247 Features VDSS RDS(on) Type ID (@Tjmax) max STW55NM50N 550 V

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STW55NM50N

STW55NM60ND N-channel 600 V - 0.047 - 51 A TO-247 FDmesh II Power MOSFET (with fast diode) Features VDSS RDS(on) Type ID (@TJmax) (max) STW55NM60ND 650 V

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STW55NM50N

STW55NM60N N-channel 600 V, 0.047 , 51 A, MDmesh II Power MOSFET TO-247 Features VDSS RDS(on) Type ID (@Tjmax) max STW55NM60N 650 V

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STW55NM50N

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