STW55NM50N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STW55NM50N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 350 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 54 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 40 ns
Выходная емкость (Cd): 370 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.054 Ohm
Тип корпуса: TO-247
Аналог (замена) для STW55NM50N
STW55NM50N Datasheet (PDF)
stw55nm50n.pdf
STW55NM50NN-channel 500 V, 0.040 , 54 A, MDmesh II Power MOSFETTO-247FeaturesVDSS RDS(on) Type ID(@Tjmax) maxSTW55NM50N 550 V
stw55nm60nd.pdf
STW55NM60NDN-channel 600 V - 0.047 - 51 A TO-247FDmesh II Power MOSFET (with fast diode)FeaturesVDSS RDS(on) Type ID(@TJmax) (max)STW55NM60ND 650 V
stw55nm60n.pdf
STW55NM60NN-channel 600 V, 0.047 , 51 A, MDmesh II Power MOSFETTO-247FeaturesVDSS RDS(on) Type ID(@Tjmax) maxSTW55NM60N 650 V
stw55ne10.pdf
STW55NE10 N - CHANNEL 100V - 0.021 - 55A - TO247STripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTW55NE10 100 V
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: LSG65R650HT
