STW55NM50N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: STW55NM50N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 350 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 54 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 370 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.054 Ohm
Тип корпуса: TO-247
Аналог (замена) для STW55NM50N
STW55NM50N Datasheet (PDF)
stw55nm50n.pdf

STW55NM50NN-channel 500 V, 0.040 , 54 A, MDmesh II Power MOSFETTO-247FeaturesVDSS RDS(on) Type ID(@Tjmax) maxSTW55NM50N 550 V
stw55nm60nd.pdf

STW55NM60NDN-channel 600 V - 0.047 - 51 A TO-247FDmesh II Power MOSFET (with fast diode)FeaturesVDSS RDS(on) Type ID(@TJmax) (max)STW55NM60ND 650 V
stw55nm60n.pdf

STW55NM60NN-channel 600 V, 0.047 , 51 A, MDmesh II Power MOSFETTO-247FeaturesVDSS RDS(on) Type ID(@Tjmax) maxSTW55NM60N 650 V
Другие MOSFET... STW40N95K5 , STW43NM50N , STW45N65M5 , STW46NF30 , STW48N60M2 , STW48N60M2-4 , STW50NB20 , STW54NK30Z , IRF9540 , STW56N60M2 , STW56N60M2-4 , STW56N65M2 , STW56N65M2-4 , STW57N65M5 , STW57N65M5-4 , STW60NE10 , STW60NM50N .
History: IXFR48N50Q | IPW65R080CFD | SVG094R1NKL | BUK7Y53-100B | PP2915AD | TTD95N68A | SVG096R5NT
History: IXFR48N50Q | IPW65R080CFD | SVG094R1NKL | BUK7Y53-100B | PP2915AD | TTD95N68A | SVG096R5NT



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
tip42c transistor | c1815 transistor datasheet | mj15003 | 2sa1015 | ksc3503 | c945 transistor datasheet | bt137 datasheet | 2n2907a datasheet