STW55NM50N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STW55NM50N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 350 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 54 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 370 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.054 Ohm

Тип корпуса: TO-247

Аналог (замена) для STW55NM50N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STW55NM50N даташит

 ..1. Size:350K  st
 stw55nm50n.pdf pdf_icon

STW55NM50N

STW55NM50N N-channel 500 V, 0.040 , 54 A, MDmesh II Power MOSFET TO-247 Features VDSS RDS(on) Type ID (@Tjmax) max STW55NM50N 550 V

 7.1. Size:297K  st
 stw55nm60nd.pdf pdf_icon

STW55NM50N

STW55NM60ND N-channel 600 V - 0.047 - 51 A TO-247 FDmesh II Power MOSFET (with fast diode) Features VDSS RDS(on) Type ID (@TJmax) (max) STW55NM60ND 650 V

 7.2. Size:329K  st
 stw55nm60n.pdf pdf_icon

STW55NM50N

STW55NM60N N-channel 600 V, 0.047 , 51 A, MDmesh II Power MOSFET TO-247 Features VDSS RDS(on) Type ID (@Tjmax) max STW55NM60N 650 V

 8.1. Size:334K  1
 sth55n10 sth55n10fi stw55n10.pdf pdf_icon

STW55NM50N

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STW40N95K5, STW43NM50N, STW45N65M5, STW46NF30, STW48N60M2, STW48N60M2-4, STW50NB20, STW54NK30Z, 2N7000, STW56N60M2, STW56N60M2-4, STW56N65M2, STW56N65M2-4, STW57N65M5, STW57N65M5-4, STW60NE10, STW60NM50N