STW57N65M5-4 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STW57N65M5-4

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 42 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.063 Ohm

Encapsulados: TO-247-4

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STW57N65M5-4 datasheet

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STW57N65M5-4

STW57N65M5-4 N-channel 650 V, 0.056 typ., 42 A, MDmesh V Power MOSFET in a TO247-4 package Datasheet - production data Features RDS(on) Order code VDS @ TJmax max ID STW57N65M5-4 710 V 0.063 42 A Higher VDS rating 4 Higher dv/dt capability 3 2 1 Excellent switching performance thanks to the extra driving source pin TO247-4 Easy to drive 100% aval

 4.1. Size:1044K  st
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STW57N65M5-4

STW57N65M5, STWA57N65M5 N-channel 650 V, 0.056 typ., 42 A MDmesh V Power MOSFETs in TO-247 and TO-247 long leads packages Datasheet - production data Features Order codes VDS @ TJmax RDS(on) max ID STW57N65M5 710 V 0.063 42 A STWA57N65M5 Worldwide best RDS(on)*area amongst the 3 2 silicon based devices 1 TO-247 Higher VDSS rating, high dv/dt capability TO-24

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