STW57N65M5-4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STW57N65M5-4
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 42 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.063 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247-4

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STW57N65M5-4

STW57N65M5-4 Datasheet (PDF)

..1. Size:1194K st
stw57n65m5-4.pdf

STW57N65M5-4N-channel 650 V, 0.056 typ., 42 A, MDmesh V Power MOSFET in a TO247-4 packageDatasheet - production dataFeaturesRDS(on) Order code VDS @ TJmax max IDSTW57N65M5-4 710 V 0.063 42 A Higher VDS rating4 Higher dv/dt capability321 Excellent switching performance thanks to the extra driving source pinTO247-4 Easy to drive 100% aval

4.1. Size:1044K st
stw57n65m5 stwa57n65m5.pdf

STW57N65M5, STWA57N65M5N-channel 650 V, 0.056 typ., 42 A MDmesh V Power MOSFETs in TO-247 and TO-247 long leads packagesDatasheet - production dataFeatures Order codes VDS @ TJmax RDS(on) max IDSTW57N65M5710 V 0.063 42 ASTWA57N65M5 Worldwide best RDS(on)*area amongst the 32silicon based devices1TO-247 Higher VDSS rating, high dv/dt capabilityTO-24

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History: APF7619WS | FDB016N04AL7

Liste

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