Справочник MOSFET. STW57N65M5-4

 

STW57N65M5-4 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STW57N65M5-4
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.063 Ohm
   Тип корпуса: TO-247-4
 

 Аналог (замена) для STW57N65M5-4

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STW57N65M5-4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1194K  st
 stw57n65m5-4.pdf pdf_icon

STW57N65M5-4

STW57N65M5-4N-channel 650 V, 0.056 typ., 42 A, MDmesh V Power MOSFET in a TO247-4 packageDatasheet - production dataFeaturesRDS(on) Order code VDS @ TJmax max IDSTW57N65M5-4 710 V 0.063 42 A Higher VDS rating4 Higher dv/dt capability321 Excellent switching performance thanks to the extra driving source pinTO247-4 Easy to drive 100% aval

 4.1. Size:1044K  st
 stw57n65m5 stwa57n65m5.pdf pdf_icon

STW57N65M5-4

STW57N65M5, STWA57N65M5N-channel 650 V, 0.056 typ., 42 A MDmesh V Power MOSFETs in TO-247 and TO-247 long leads packagesDatasheet - production dataFeatures Order codes VDS @ TJmax RDS(on) max IDSTW57N65M5710 V 0.063 42 ASTWA57N65M5 Worldwide best RDS(on)*area amongst the 32silicon based devices1TO-247 Higher VDSS rating, high dv/dt capabilityTO-24

Другие MOSFET... STW50NB20 , STW54NK30Z , STW55NM50N , STW56N60M2 , STW56N60M2-4 , STW56N65M2 , STW56N65M2-4 , STW57N65M5 , K3569 , STW60NE10 , STW60NM50N , STW62N65M5 , STW69N65M5 , STW69N65M5-4 , STW6NA80 , STW70N60M2 , STW75N20 .

History: LSF60R280HT | PHB27NQ10T | AP4P012LEH | 2SK3440 | IRFU010 | GSM2318A | HGI059N08A

 

 
Back to Top

 


 
.