STW57N65M5-4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STW57N65M5-4

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.063 Ohm

Тип корпуса: TO-247-4

Аналог (замена) для STW57N65M5-4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STW57N65M5-4 даташит

 ..1. Size:1194K  st
 stw57n65m5-4.pdf pdf_icon

STW57N65M5-4

STW57N65M5-4 N-channel 650 V, 0.056 typ., 42 A, MDmesh V Power MOSFET in a TO247-4 package Datasheet - production data Features RDS(on) Order code VDS @ TJmax max ID STW57N65M5-4 710 V 0.063 42 A Higher VDS rating 4 Higher dv/dt capability 3 2 1 Excellent switching performance thanks to the extra driving source pin TO247-4 Easy to drive 100% aval

 4.1. Size:1044K  st
 stw57n65m5 stwa57n65m5.pdf pdf_icon

STW57N65M5-4

STW57N65M5, STWA57N65M5 N-channel 650 V, 0.056 typ., 42 A MDmesh V Power MOSFETs in TO-247 and TO-247 long leads packages Datasheet - production data Features Order codes VDS @ TJmax RDS(on) max ID STW57N65M5 710 V 0.063 42 A STWA57N65M5 Worldwide best RDS(on)*area amongst the 3 2 silicon based devices 1 TO-247 Higher VDSS rating, high dv/dt capability TO-24

Другие IGBT... STW50NB20, STW54NK30Z, STW55NM50N, STW56N60M2, STW56N60M2-4, STW56N65M2, STW56N65M2-4, STW57N65M5, IRF9540, STW60NE10, STW60NM50N, STW62N65M5, STW69N65M5, STW69N65M5-4, STW6NA80, STW70N60M2, STW75N20