STW60NM50N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STW60NM50N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 446 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 68 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 365 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.043 Ohm

Encapsulados: TO-247

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STW60NM50N datasheet

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STW60NM50N

STW60NM50N N-channel 500 V, 0.035 , 68 A, MDmesh II Power MOSFET in a TO-247 package Datasheet - production data Features Order code VDSS (@Tjmax) RDS(on) max ID STW60NM50N 550 V

 ..2. Size:244K  inchange semiconductor
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STW60NM50N

isc N-Channel MOSFET Transistor STW60NM50N FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 0.043 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Be suitable for the most demanding high efficiency converters. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltag

 8.1. Size:202K  st
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STW60NM50N

STW60NE10 N - CHANNEL 100V - 0.016 - 60A TO-247 STripFET POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STW60NE10 100 V

 8.2. Size:569K  st
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STW60NM50N

STW60N65M5 STFW60N65M5 N-channel 650 V, 0.049 , 46 A MDmesh V Power MOSFET in TO-247, TO-3PF Features VDSS @ RDS(on) Order codes ID TJmax max STFW60N65M5 1 1 1 710 V

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