STW60NM50N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STW60NM50N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 446 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 68 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 36 ns
Выходная емкость (Cd): 365 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.043 Ohm
Тип корпуса: TO-247
Аналог (замена) для STW60NM50N
STW60NM50N Datasheet (PDF)
stw60nm50n.pdf
STW60NM50NN-channel 500 V, 0.035 , 68 A, MDmesh II Power MOSFET in a TO-247 packageDatasheet - production dataFeatures Order code VDSS (@Tjmax) RDS(on) max IDSTW60NM50N 550 V
stw60nm50n.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor STW60NM50NFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)0.043100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONBe suitable for the most demanding high efficiency converters.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltag
stw60ne10.pdf
STW60NE10N - CHANNEL 100V - 0.016 - 60A TO-247STripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTW60NE10 100 V
stw60n65m5 stfw60n65m5.pdf
STW60N65M5STFW60N65M5N-channel 650 V, 0.049 , 46 A MDmesh V Power MOSFETin TO-247, TO-3PFFeaturesVDSS @ RDS(on) Order codes IDTJmax maxSTFW60N65M5111710 V
stw60n10.pdf
STH60N10/FISTW60N10N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTH60N10 100 V
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
