STW60NM50N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STW60NM50N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 446 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 68 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 365 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.043 Ohm

Тип корпуса: TO-247

Аналог (замена) для STW60NM50N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STW60NM50N даташит

 ..1. Size:751K  st
 stw60nm50n.pdf pdf_icon

STW60NM50N

STW60NM50N N-channel 500 V, 0.035 , 68 A, MDmesh II Power MOSFET in a TO-247 package Datasheet - production data Features Order code VDSS (@Tjmax) RDS(on) max ID STW60NM50N 550 V

 ..2. Size:244K  inchange semiconductor
 stw60nm50n.pdf pdf_icon

STW60NM50N

isc N-Channel MOSFET Transistor STW60NM50N FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 0.043 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Be suitable for the most demanding high efficiency converters. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltag

 8.1. Size:202K  st
 stw60ne10.pdf pdf_icon

STW60NM50N

STW60NE10 N - CHANNEL 100V - 0.016 - 60A TO-247 STripFET POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STW60NE10 100 V

 8.2. Size:569K  st
 stw60n65m5 stfw60n65m5.pdf pdf_icon

STW60NM50N

STW60N65M5 STFW60N65M5 N-channel 650 V, 0.049 , 46 A MDmesh V Power MOSFET in TO-247, TO-3PF Features VDSS @ RDS(on) Order codes ID TJmax max STFW60N65M5 1 1 1 710 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STW55NM50N, STW56N60M2, STW56N60M2-4, STW56N65M2, STW56N65M2-4, STW57N65M5, STW57N65M5-4, STW60NE10, 2SK3878, STW62N65M5, STW69N65M5, STW69N65M5-4, STW6NA80, STW70N60M2, STW75N20, STW78N65M5, STW7N105K5