STW69N65M5-4 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STW69N65M5-4

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 330 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 58 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm

Encapsulados: TO-247-4

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STW69N65M5-4 datasheet

 ..1. Size:783K  st
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STW69N65M5-4

STW69N65M5-4 N-channel 650 V, 0.037 typ., 58 A, MDmesh V Power MOSFET in a TO247-4 package Datasheet - production data Features RDS(on) Order code VDS @ TJmax max ID STW69N65M5-4 710 V 0.045 58 A Higher VDS rating 4 3 Higher dv/dt capability 2 1 Excellent switching performance thanks to the extra driving source pin TO247-4 Easy to drive 100% aval

 4.1. Size:666K  st
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STW69N65M5-4

STFW69N65M5 STW69N65M5 N-channel 650 V, 0.037 typ., 58 A MDmesh V Power MOSFET in TO-3PF and TO-247 packages Datasheet - production data Features Order codes VDSS @ TJmax RDS(on) max ID STFW69N65M5 710 V

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