Справочник MOSFET. STW69N65M5-4

 

STW69N65M5-4 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STW69N65M5-4
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 330 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 58 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
   Тип корпуса: TO-247-4
 

 Аналог (замена) для STW69N65M5-4

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STW69N65M5-4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:783K  st
 stw69n65m5-4.pdf pdf_icon

STW69N65M5-4

STW69N65M5-4N-channel 650 V, 0.037 typ., 58 A, MDmesh V Power MOSFET in a TO247-4 packageDatasheet - production dataFeaturesRDS(on) Order code VDS @ TJmax max IDSTW69N65M5-4 710 V 0.045 58 A Higher VDS rating43 Higher dv/dt capability21 Excellent switching performance thanks to the extra driving source pinTO247-4 Easy to drive 100% aval

 4.1. Size:666K  st
 stfw69n65m5 stw69n65m5.pdf pdf_icon

STW69N65M5-4

STFW69N65M5 STW69N65M5N-channel 650 V, 0.037 typ., 58 A MDmesh V Power MOSFETin TO-3PF and TO-247 packagesDatasheet - production dataFeaturesOrder codes VDSS @ TJmax RDS(on) max IDSTFW69N65M5710 V

Другие MOSFET... STW56N65M2 , STW56N65M2-4 , STW57N65M5 , STW57N65M5-4 , STW60NE10 , STW60NM50N , STW62N65M5 , STW69N65M5 , IRF1010E , STW6NA80 , STW70N60M2 , STW75N20 , STW78N65M5 , STW7N105K5 , STW7NA100 , STW7NA80 , STW7NA90 .

 

 
Back to Top

 


 
.