STW78N65M5 Todos los transistores

 

STW78N65M5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STW78N65M5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 450 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 69 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 210 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247
 

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STW78N65M5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:953K  st
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STW78N65M5

STW78N65M5Automotive-grade N-channel 650 V, 0.024 typ., 69 A, MDmesh V Power MOSFET in a TO-247 packageDatasheet - production dataFeatures Order code VDS @Tjmax. RDS(on) max. IDSTW78N65M5 710 V 0.032 69 A Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified32 Higher VDSS rating1 Higher dv/dt capabilityTO-247 Excellent switching performan

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History: HM6804 | APM2309AC | STU70N2LH5 | CHM5506JGP | IPA60R950C6 | PMCXB900UE | RSS090P03FU6TB

 

 
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