STW78N65M5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STW78N65M5
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 450 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 69 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 210 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-247
Búsqueda de reemplazo de STW78N65M5 MOSFET
STW78N65M5 Datasheet (PDF)
stw78n65m5.pdf

STW78N65M5Automotive-grade N-channel 650 V, 0.024 typ., 69 A, MDmesh V Power MOSFET in a TO-247 packageDatasheet - production dataFeatures Order code VDS @Tjmax. RDS(on) max. IDSTW78N65M5 710 V 0.032 69 A Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified32 Higher VDSS rating1 Higher dv/dt capabilityTO-247 Excellent switching performan
Otros transistores... STW60NE10 , STW60NM50N , STW62N65M5 , STW69N65M5 , STW69N65M5-4 , STW6NA80 , STW70N60M2 , STW75N20 , SPP20N60C3 , STW7N105K5 , STW7NA100 , STW7NA80 , STW7NA90 , STW80NE06-10 , STW80NF06 , STW80NF55-08 , STW88N65M5 .
History: PHD14NQ20T | DMTH10H005SCT | HSU4113 | BUK963R1-40E | 2SJ477-01MR | H7P0601DS | SSF3324
History: PHD14NQ20T | DMTH10H005SCT | HSU4113 | BUK963R1-40E | 2SJ477-01MR | H7P0601DS | SSF3324



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
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