STW78N65M5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STW78N65M5
Código: 78N65M5
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 450 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 69 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V
Carga de la puerta (Qg): 203 nC
Tiempo de subida (tr): 14 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 210 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.032 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-247
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STW78N65M5 Datasheet (PDF)
..1. Size:953K st
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STW78N65M5Automotive-grade N-channel 650 V, 0.024 typ., 69 A, MDmesh V Power MOSFET in a TO-247 packageDatasheet - production dataFeatures Order code VDS @Tjmax. RDS(on) max. IDSTW78N65M5 710 V 0.032 69 A Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified32 Higher VDSS rating1 Higher dv/dt capabilityTO-247 Excellent switching performan
Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
