STW78N65M5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STW78N65M5
   Código: 78N65M5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 450 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 69 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 203 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 210 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247

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STW78N65M5 Datasheet (PDF)

..1. Size:953K st
stw78n65m5.pdf

STW78N65M5Automotive-grade N-channel 650 V, 0.024 typ., 69 A, MDmesh V Power MOSFET in a TO-247 packageDatasheet - production dataFeatures Order code VDS @Tjmax. RDS(on) max. IDSTW78N65M5 710 V 0.032 69 A Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified32 Higher VDSS rating1 Higher dv/dt capabilityTO-247 Excellent switching performan

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History: STY60NM60

Liste

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