STW78N65M5 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STW78N65M5
Маркировка: 78N65M5
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 450 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 69 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 203 nC
Время нарастания (tr): 14 ns
Выходная емкость (Cd): 210 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.032 Ohm
Тип корпуса: TO-247
Аналог (замена) для STW78N65M5
STW78N65M5 Datasheet (PDF)
..1. Size:953K st
stw78n65m5.pdf
stw78n65m5.pdf
STW78N65M5Automotive-grade N-channel 650 V, 0.024 typ., 69 A, MDmesh V Power MOSFET in a TO-247 packageDatasheet - production dataFeatures Order code VDS @Tjmax. RDS(on) max. IDSTW78N65M5 710 V 0.032 69 A Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified32 Higher VDSS rating1 Higher dv/dt capabilityTO-247 Excellent switching performan
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
