STW78N65M5. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STW78N65M5

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 450 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 69 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm

Тип корпуса: TO-247

Аналог (замена) для STW78N65M5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STW78N65M5 даташит

 ..1. Size:953K  st
 stw78n65m5.pdf pdf_icon

STW78N65M5

STW78N65M5 Automotive-grade N-channel 650 V, 0.024 typ., 69 A, MDmesh V Power MOSFET in a TO-247 package Datasheet - production data Features Order code VDS @Tjmax. RDS(on) max. ID STW78N65M5 710 V 0.032 69 A Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified 3 2 Higher VDSS rating 1 Higher dv/dt capability TO-247 Excellent switching performan

Другие IGBT... STW60NE10, STW60NM50N, STW62N65M5, STW69N65M5, STW69N65M5-4, STW6NA80, STW70N60M2, STW75N20, K3569, STW7N105K5, STW7NA100, STW7NA80, STW7NA90, STW80NE06-10, STW80NF06, STW80NF55-08, STW88N65M5