STW7N105K5 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STW7N105K5

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1050 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm

Encapsulados: TO-247

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STW7N105K5 datasheet

 ..1. Size:1031K  st
stp7n105k5 stu7n105k5 stw7n105k5.pdf pdf_icon

STW7N105K5

STP7N105K5, STU7N105K5, STW7N105K5 N-channel 1050 V, 1.4 typ., 4 A Zener-protected SuperMESH 5 Power MOSFETs in TO-220, IPAK and TO-247 packages Datasheet - preliminary data Features TAB Order codes VDS RDS(on) max. ID PTOT STP7N105K5 3 2 1 STU7N105K5 1050 V 2 4 A 110 W 3 2 TO-220 1 STW7N105K5 TO-247 TAB IPAK 1050 V worldwide best RDS(on) Worldwide best F

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sth7na80fi stw7na80.pdf pdf_icon

STW7N105K5

STW7NA80 STH7NA80FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STW7NA80 800 V

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stw7nb80.pdf pdf_icon

STW7N105K5

STW7NB80 N-CHANNEL 800V - 1.6 - 6.5A - TO-247 PowerMESH MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STW7NB80 800 V

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stw7na100.pdf pdf_icon

STW7N105K5

STW7NA100 STH7NA100FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS TYPE VDSS RDS(on) ID STW7NA100 1000 V

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