STW7N105K5. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: STW7N105K5
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1050 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
Тип корпуса: TO-247
Аналог (замена) для STW7N105K5
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
STW7N105K5 даташит
stp7n105k5 stu7n105k5 stw7n105k5.pdf
STP7N105K5, STU7N105K5, STW7N105K5 N-channel 1050 V, 1.4 typ., 4 A Zener-protected SuperMESH 5 Power MOSFETs in TO-220, IPAK and TO-247 packages Datasheet - preliminary data Features TAB Order codes VDS RDS(on) max. ID PTOT STP7N105K5 3 2 1 STU7N105K5 1050 V 2 4 A 110 W 3 2 TO-220 1 STW7N105K5 TO-247 TAB IPAK 1050 V worldwide best RDS(on) Worldwide best F
sth7na80fi stw7na80.pdf
STW7NA80 STH7NA80FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STW7NA80 800 V
stw7nb80.pdf
STW7NB80 N-CHANNEL 800V - 1.6 - 6.5A - TO-247 PowerMESH MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STW7NB80 800 V
stw7na100.pdf
STW7NA100 STH7NA100FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS TYPE VDSS RDS(on) ID STW7NA100 1000 V
Другие IGBT... STW60NM50N, STW62N65M5, STW69N65M5, STW69N65M5-4, STW6NA80, STW70N60M2, STW75N20, STW78N65M5, IRFP260, STW7NA100, STW7NA80, STW7NA90, STW80NE06-10, STW80NF06, STW80NF55-08, STW88N65M5, STW8NA60
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: FTF30P35D | FTF25N35DHVT | FTF15N35D | FTE15C35G | FTP02P15G | FTE02P15G | AKF30N5P0SX | AKF30N10S | AKF20P45D | CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1
Popular searches
2sk1058 | ss8550 | mje15033 | 2sc945 datasheet | a92 transistor | rfp50n06 | bd140 datasheet | tip2955















