STW7N105K5. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STW7N105K5

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1050 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm

Тип корпуса: TO-247

Аналог (замена) для STW7N105K5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STW7N105K5 даташит

 ..1. Size:1031K  st
stp7n105k5 stu7n105k5 stw7n105k5.pdfpdf_icon

STW7N105K5

STP7N105K5, STU7N105K5, STW7N105K5 N-channel 1050 V, 1.4 typ., 4 A Zener-protected SuperMESH 5 Power MOSFETs in TO-220, IPAK and TO-247 packages Datasheet - preliminary data Features TAB Order codes VDS RDS(on) max. ID PTOT STP7N105K5 3 2 1 STU7N105K5 1050 V 2 4 A 110 W 3 2 TO-220 1 STW7N105K5 TO-247 TAB IPAK 1050 V worldwide best RDS(on) Worldwide best F

 9.1. Size:132K  1
sth7na80fi stw7na80.pdfpdf_icon

STW7N105K5

STW7NA80 STH7NA80FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STW7NA80 800 V

 9.2. Size:253K  st
stw7nb80.pdfpdf_icon

STW7N105K5

STW7NB80 N-CHANNEL 800V - 1.6 - 6.5A - TO-247 PowerMESH MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STW7NB80 800 V

 9.3. Size:76K  st
stw7na100.pdfpdf_icon

STW7N105K5

STW7NA100 STH7NA100FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS TYPE VDSS RDS(on) ID STW7NA100 1000 V

Другие IGBT... STW60NM50N, STW62N65M5, STW69N65M5, STW69N65M5-4, STW6NA80, STW70N60M2, STW75N20, STW78N65M5, IRFP260, STW7NA100, STW7NA80, STW7NA90, STW80NE06-10, STW80NF06, STW80NF55-08, STW88N65M5, STW8NA60