Справочник MOSFET. STW7N105K5

 

STW7N105K5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STW7N105K5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1050 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
 

 Аналог (замена) для STW7N105K5

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STW7N105K5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1031K  st
stp7n105k5 stu7n105k5 stw7n105k5.pdfpdf_icon

STW7N105K5

STP7N105K5, STU7N105K5, STW7N105K5N-channel 1050 V, 1.4 typ., 4 A Zener-protected SuperMESH 5Power MOSFETs in TO-220, IPAK and TO-247 packagesDatasheet - preliminary dataFeatures TABOrder codes VDS RDS(on) max. ID PTOTSTP7N105K5321STU7N105K5 1050 V 2 4 A 110 W 32TO-2201 STW7N105K5TO-247TAB IPAK 1050 V worldwide best RDS(on) Worldwide best F

 9.1. Size:132K  1
sth7na80fi stw7na80.pdfpdf_icon

STW7N105K5

STW7NA80STH7NA80FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTW7NA80 800 V

 9.2. Size:253K  st
stw7nb80.pdfpdf_icon

STW7N105K5

STW7NB80N-CHANNEL 800V - 1.6 - 6.5A - TO-247PowerMESH MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTW7NB80 800 V

 9.3. Size:76K  st
stw7na100.pdfpdf_icon

STW7N105K5

STW7NA100STH7NA100FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORSTYPE VDSS RDS(on) IDSTW7NA100 1000 V

Другие MOSFET... STW60NM50N , STW62N65M5 , STW69N65M5 , STW69N65M5-4 , STW6NA80 , STW70N60M2 , STW75N20 , STW78N65M5 , 8205A , STW7NA100 , STW7NA80 , STW7NA90 , STW80NE06-10 , STW80NF06 , STW80NF55-08 , STW88N65M5 , STW8NA60 .

History: CEP85N75 | HM60N03D | IXFC14N80P | SSM6P36FE | FTK2102 | BUK9618-55A

 

 
Back to Top

 


 
.