STW80NE06-10 Todos los transistores

 

STW80NE06-10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STW80NE06-10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 150 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 890 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247
 

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STW80NE06-10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:202K  st
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STW80NE06-10

STW80NE06-10N-CHANNEL 60V - 0.0085 - 80A TO-247STripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTW80NE06-10 60 V

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 sth80n05 sth80n05fi stw80n05.pdf pdf_icon

STW80NE06-10

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STW80NE06-10

STW80NF10N-CHANNEL 100V - 0.012 - 80A TO-247LOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTW80NF10 100 V

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 stb80nf55-08t4 stp80nf55-08 stw80nf55-08.pdf pdf_icon

STW80NE06-10

STB80NF55-08T4STP80NF55-08, STW80NF55-08N-channel 55 V, 0.0065 , 80 A, TO-220, D2PAK, TO-247STripFET Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmax3STB80NF55-08T4 55 V

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History: HGB025N06S | 2SK2846 | FQP3N40 | AP2304AGN | AONS62602 | HM730F | 7NM65G-TM3-T

 

 
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