Справочник MOSFET. STW80NE06-10

 

STW80NE06-10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STW80NE06-10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 890 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
 

 Аналог (замена) для STW80NE06-10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STW80NE06-10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:202K  st
 stw80ne06-10.pdf pdf_icon

STW80NE06-10

STW80NE06-10N-CHANNEL 60V - 0.0085 - 80A TO-247STripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTW80NE06-10 60 V

 8.1. Size:328K  1
 sth80n05 sth80n05fi stw80n05.pdf pdf_icon

STW80NE06-10

 8.2. Size:251K  st
 stw80nf10.pdf pdf_icon

STW80NE06-10

STW80NF10N-CHANNEL 100V - 0.012 - 80A TO-247LOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTW80NF10 100 V

 8.3. Size:362K  st
 stb80nf55-08t4 stp80nf55-08 stw80nf55-08.pdf pdf_icon

STW80NE06-10

STB80NF55-08T4STP80NF55-08, STW80NF55-08N-channel 55 V, 0.0065 , 80 A, TO-220, D2PAK, TO-247STripFET Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmax3STB80NF55-08T4 55 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STW6NA80 , STW70N60M2 , STW75N20 , STW78N65M5 , STW7N105K5 , STW7NA100 , STW7NA80 , STW7NA90 , IRFB3607 , STW80NF06 , STW80NF55-08 , STW88N65M5 , STW8NA60 , STW8NA80 , STW8NB100 , STW9NA80 , STW9NK95Z .

History: HM60N03K | BUK764R4-60E | HFD5N65S | 8N65KG-TF3-T | AONA66916 | FDMD85100 | MTN7N60E3

 

 
Back to Top

 


 
.