STW80NE06-10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STW80NE06-10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 890 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm

Тип корпуса: TO-247

Аналог (замена) для STW80NE06-10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STW80NE06-10 даташит

 ..1. Size:202K  st
 stw80ne06-10.pdf pdf_icon

STW80NE06-10

 8.1. Size:328K  1
 sth80n05 sth80n05fi stw80n05.pdf pdf_icon

STW80NE06-10

 8.2. Size:251K  st
 stw80nf10.pdf pdf_icon

STW80NE06-10

STW80NF10 N-CHANNEL 100V - 0.012 - 80A TO-247 LOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STW80NF10 100 V

 8.3. Size:362K  st
 stb80nf55-08t4 stp80nf55-08 stw80nf55-08.pdf pdf_icon

STW80NE06-10

STB80NF55-08T4 STP80NF55-08, STW80NF55-08 N-channel 55 V, 0.0065 , 80 A, TO-220, D2PAK, TO-247 STripFET Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID max 3 STB80NF55-08T4 55 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STW6NA80, STW70N60M2, STW75N20, STW78N65M5, STW7N105K5, STW7NA100, STW7NA80, STW7NA90, K4145, STW80NF06, STW80NF55-08, STW88N65M5, STW8NA60, STW8NA80, STW8NB100, STW9NA80, STW9NK95Z