Справочник MOSFET. STW80NE06-10

 

STW80NE06-10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STW80NE06-10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 150 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 890 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STW80NE06-10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:202K  st
 stw80ne06-10.pdf pdf_icon

STW80NE06-10

STW80NE06-10N-CHANNEL 60V - 0.0085 - 80A TO-247STripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTW80NE06-10 60 V

 8.1. Size:328K  1
 sth80n05 sth80n05fi stw80n05.pdf pdf_icon

STW80NE06-10

 8.2. Size:251K  st
 stw80nf10.pdf pdf_icon

STW80NE06-10

STW80NF10N-CHANNEL 100V - 0.012 - 80A TO-247LOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTW80NF10 100 V

 8.3. Size:362K  st
 stb80nf55-08t4 stp80nf55-08 stw80nf55-08.pdf pdf_icon

STW80NE06-10

STB80NF55-08T4STP80NF55-08, STW80NF55-08N-channel 55 V, 0.0065 , 80 A, TO-220, D2PAK, TO-247STripFET Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmax3STB80NF55-08T4 55 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: BL20N60-W | AP2R803GH-HF | MTA17A02CDV8 | IPD60R2K0C6 | WMK08N80M3 | AP70T03GJB | SSM3K344R

 

 
Back to Top

 


 
.