STW8NB100 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

STW8NB100 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STW8NB100

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 190 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 275 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.45 Ohm

Encapsulados: TO-247

Búsqueda de reemplazo de STW8NB100 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

..1. Size:175K st
stw8nb100.pdf pdf_icon

STW8NB100 N-CHANNEL 1000V - 1.3 - 7.3ATO-247 PowerMesh MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STW8NB100 1000V

8.1. Size:311K st
stw8nb90.pdf pdf_icon

STW8NB90 STH8NB90FI N-CHANNEL 900V - 1.1 - 8 A TO-247/ISOWATT218 PowerMesh MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STW8NB90 900 V

8.2. Size:323K st
stw8nb90 sth8nb90fi.pdf pdf_icon

STW8NB90 STH8NB90FI N-CHANNEL 900V - 1.1 - 8 A TO-247/ISOWATT218 PowerMesh MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STW8NB90 900 V

8.3. Size:56K st
stw8nb80.pdf pdf_icon

STW8NB80 N - CHANNEL 800V - 1.2 - 7.5A - TO-247 PowerMESH MOSFET PRELIMINARY DATA TYPE V R I DSS DS(on) D STW8NB80 800 V