STW8NB100 - аналоги, параметры транзистора - Справочник транзисторов

STW8NB100. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STW8NB100

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 275 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.45 Ohm

Тип корпуса: TO-247

Аналог (замена) для STW8NB100

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

..1. Size:175K st
stw8nb100.pdf pdf_icon

STW8NB100 N-CHANNEL 1000V - 1.3 - 7.3ATO-247 PowerMesh MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STW8NB100 1000V

8.1. Size:311K st
stw8nb90.pdf pdf_icon

STW8NB90 STH8NB90FI N-CHANNEL 900V - 1.1 - 8 A TO-247/ISOWATT218 PowerMesh MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STW8NB90 900 V

8.2. Size:323K st
stw8nb90 sth8nb90fi.pdf pdf_icon

STW8NB90 STH8NB90FI N-CHANNEL 900V - 1.1 - 8 A TO-247/ISOWATT218 PowerMesh MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STW8NB90 900 V

8.3. Size:56K st
stw8nb80.pdf pdf_icon

STW8NB80 N - CHANNEL 800V - 1.2 - 7.5A - TO-247 PowerMESH MOSFET PRELIMINARY DATA TYPE V R I DSS DS(on) D STW8NB80 800 V