STW8NB100 - аналоги и даташиты транзистора

 

STW8NB100 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: STW8NB100
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 275 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.45 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
 

 Аналог (замена) для STW8NB100

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STW8NB100 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:175K  st
 stw8nb100.pdf pdf_icon

STW8NB100

STW8NB100N-CHANNEL 1000V - 1.3 - 7.3ATO-247PowerMesh MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTW8NB100 1000V

 8.1. Size:311K  st
 stw8nb90.pdf pdf_icon

STW8NB100

STW8NB90STH8NB90FIN-CHANNEL 900V - 1.1 - 8 A TO-247/ISOWATT218PowerMesh MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTW8NB90 900 V

 8.2. Size:323K  st
 stw8nb90 sth8nb90fi.pdf pdf_icon

STW8NB100

STW8NB90STH8NB90FIN-CHANNEL 900V - 1.1 - 8 A TO-247/ISOWATT218PowerMesh MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTW8NB90 900 V

 8.3. Size:56K  st
 stw8nb80.pdf pdf_icon

STW8NB100

STW8NB80N - CHANNEL 800V - 1.2 - 7.5A - TO-247PowerMESH MOSFETPRELIMINARY DATATYPE V R IDSS DS(on) DSTW8NB80 800 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STW7NA80 , STW7NA90 , STW80NE06-10 , STW80NF06 , STW80NF55-08 , STW88N65M5 , STW8NA60 , STW8NA80 , IRFB3607 , STW9NA80 , STW9NK95Z , STWA12N120K5 , STWA20N95K5 , STWA45N65M5 , STWA57N65M5 , STWA88N65M5 , STY100NM60N .

History: GSM2301 | SMOS44N50 | ZXMN3B14F | ZXMN3F31DN8 | ME100N03T | AM7920N | VP0104

 

 
Back to Top

 


 
.