STW8NB100 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STW8NB100
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.3 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 13 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 275 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.45 Ohm
Тип корпуса: TO-247
STW8NB100 Datasheet (PDF)
stw8nb100.pdf
STW8NB100N-CHANNEL 1000V - 1.3 - 7.3ATO-247PowerMesh MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTW8NB100 1000V
stw8nb90.pdf
STW8NB90STH8NB90FIN-CHANNEL 900V - 1.1 - 8 A TO-247/ISOWATT218PowerMesh MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTW8NB90 900 V
stw8nb90 sth8nb90fi.pdf
STW8NB90STH8NB90FIN-CHANNEL 900V - 1.1 - 8 A TO-247/ISOWATT218PowerMesh MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTW8NB90 900 V
stw8nb80.pdf
STW8NB80N - CHANNEL 800V - 1.2 - 7.5A - TO-247PowerMESH MOSFETPRELIMINARY DATATYPE V R IDSS DS(on) DSTW8NB80 800 V
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918