STW9NA80 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STW9NA80
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 190 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 290 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
Encapsulados: TO-247
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STW9NA80 datasheet
2sk2078 stw9na80.pdf
STW9NA80 STH9NA80FI N - CHANNEL 800V - 0.85 - 9.1A - TO-247/ISOWATT218 FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STW9NA80 800 V
stw9na80.pdf
STW9NA80 STH9NA80FI N - CHANNEL 800V - 0.85 - 9.1A - TO-247/ISOWATT218 FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STW9NA80 800 V
stw9na60.pdf
STW9NA60 STH9NA60FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STW9NA60 600 V
Otros transistores... STW7NA90, STW80NE06-10, STW80NF06, STW80NF55-08, STW88N65M5, STW8NA60, STW8NA80, STW8NB100, AON6380, STW9NK95Z, STWA12N120K5, STWA20N95K5, STWA45N65M5, STWA57N65M5, STWA88N65M5, STY100NM60N, STY100NS20FD
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Liste
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