STW9NA80 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: STW9NA80
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.1 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
Тип корпуса: TO-247
Аналог (замена) для STW9NA80
STW9NA80 Datasheet (PDF)
2sk2078 stw9na80.pdf

STW9NA80STH9NA80FI N - CHANNEL 800V - 0.85 - 9.1A - TO-247/ISOWATT218FAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTW9NA80 800 V
stw9na80.pdf

STW9NA80STH9NA80FI N - CHANNEL 800V - 0.85 - 9.1A - TO-247/ISOWATT218FAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTW9NA80 800 V
stw9na60.pdf

STW9NA60STH9NA60FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTW9NA60 600 V
Другие MOSFET... STW7NA90 , STW80NE06-10 , STW80NF06 , STW80NF55-08 , STW88N65M5 , STW8NA60 , STW8NA80 , STW8NB100 , IRLZ44N , STW9NK95Z , STWA12N120K5 , STWA20N95K5 , STWA45N65M5 , STWA57N65M5 , STWA88N65M5 , STY100NM60N , STY100NS20FD .
History: CEM3258 | CED730G | RFP2N10L | DMP6110SSD | 2SK2513 | PSMN5R8-30LL
History: CEM3258 | CED730G | RFP2N10L | DMP6110SSD | 2SK2513 | PSMN5R8-30LL



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
ss8050 | irfp4668 | mpsa56 | c3205 transistor | tip35c datasheet | 2n5401 datasheet | mj21194g | irfz34n