STW9NA80. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: STW9NA80
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ
- Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.1 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ -
Время нарастания: 45 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
Тип корпуса: TO-247
Аналог (замена) для STW9NA80
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
STW9NA80 даташит
..1. Size:132K st
2sk2078 stw9na80.pdf 

STW9NA80 STH9NA80FI N - CHANNEL 800V - 0.85 - 9.1A - TO-247/ISOWATT218 FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STW9NA80 800 V
..2. Size:132K st
stw9na80.pdf 

STW9NA80 STH9NA80FI N - CHANNEL 800V - 0.85 - 9.1A - TO-247/ISOWATT218 FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STW9NA80 800 V
8.1. Size:125K st
stw9na60.pdf 

STW9NA60 STH9NA60FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STW9NA60 600 V
9.1. Size:991K st
stb9nk90z stf9nk90z stp9nk90z stw9nk90z.pdf 

STB9NK90Z, STF9NK90Z STP9NK90Z, STW9NK90Z N-channel 900 V, 1.1 , 8 A, TO-220, TO-220FP, D2PAK, TO-247 Zener-protected SuperMESH Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID Pw max. 3 3 1 STB9NK90Z 160 W 2 1 D PAK TO-220 STW9NK90Z 160 W 900V
9.3. Size:279K st
stw9nb80.pdf 

STW9NB80 N-CHANNEL 800V - 0.85 - 9.3A TO-247 PowerMESH MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STW9NB80 800V
9.4. Size:307K st
stw9nk95z.pdf 

STW9NK95Z N-channel 950 V - 1.15 - 7 A - TO-247 Zener-protected SuperMESHTM Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID Pw Max STW9NK95Z 950 V
9.5. Size:248K st
stw9nc70z.pdf 

STW9NC70Z N-CHANNEL 700V - 0.90 - 7.5A TO-247 Zener-Protected PowerMESH III MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STW9NC70Z 700 V
9.6. Size:270K st
stw9nb90.pdf 

STW9NB90 N-CHANNEL 900V - 0.85 - 9.7A - TO-247 PowerMESH MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STW9NB90 900 V
9.7. Size:260K st
stw9n150.pdf 

STW9N150 N-channel 1500 V - 1.8 - 8 A - TO-247 very high voltage PowerMESH Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID Pw STW9N150 1500 V
9.8. Size:791K st
stp9n80k5 stw9n80k5.pdf 

STP9N80K5, STW9N80K5 N-channel 800 V, 0.73 typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFETs in a TO-220 and TO-247 packages Datasheet - production data Features TAB Order code V R max. I DS DS(on) D STP9N80K5 800 V 0.90 7 A STW9N80K5 3 3 Industry s lowest R x area DS(on) 2 2 1 Industry s best FoM (figure of merit) 1 Ultra-low gate charge 100% avala
9.9. Size:248K st
stw9nc80z.pdf 

STW9NC80Z N-CHANNEL 800V - 0.82 - 9.4A TO-247 Zener-Protected PowerMESH III MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STW9NC80Z 800 V
9.10. Size:305K inchange semiconductor
stw9nk90z.pdf 

iscN-Channel MOSFET Transistor STW9NK90Z FEATURES Drain Current I =8A@ T =25 D C Drain Source Voltage V =900V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R =1.3 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. ABSOL
Другие IGBT... STW7NA90, STW80NE06-10, STW80NF06, STW80NF55-08, STW88N65M5, STW8NA60, STW8NA80, STW8NB100, AON6380, STW9NK95Z, STWA12N120K5, STWA20N95K5, STWA45N65M5, STWA57N65M5, STWA88N65M5, STY100NM60N, STY100NS20FD