STW9NA80 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: STW9NA80
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190
W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800
V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30
V
|Id| ⓘ - Максимально
допустимый постоянный ток стока: 9.1
A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150
°C
tr ⓘ -
Время нарастания: 45
ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 290
pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1
Ohm
Тип корпуса:
TO-247
Аналог (замена) для STW9NA80
-
подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам
STW9NA80 Datasheet (PDF)
..1. Size:132K st
2sk2078 stw9na80.pdf 

STW9NA80STH9NA80FI N - CHANNEL 800V - 0.85 - 9.1A - TO-247/ISOWATT218FAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTW9NA80 800 V
..2. Size:132K st
stw9na80.pdf 

STW9NA80STH9NA80FI N - CHANNEL 800V - 0.85 - 9.1A - TO-247/ISOWATT218FAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTW9NA80 800 V
8.1. Size:125K st
stw9na60.pdf 

STW9NA60STH9NA60FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTW9NA60 600 V
9.1. Size:991K st
stb9nk90z stf9nk90z stp9nk90z stw9nk90z.pdf 

STB9NK90Z, STF9NK90ZSTP9NK90Z, STW9NK90ZN-channel 900 V, 1.1 , 8 A, TO-220, TO-220FP, D2PAK, TO-247Zener-protected SuperMESH Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS ID Pwmax.331STB9NK90Z 160 W 21DPAKTO-220STW9NK90Z 160 W900V
9.3. Size:279K st
stw9nb80.pdf 

STW9NB80N-CHANNEL 800V - 0.85 - 9.3A TO-247PowerMESH MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTW9NB80 800V
9.4. Size:307K st
stw9nk95z.pdf 

STW9NK95ZN-channel 950 V - 1.15 - 7 A - TO-247Zener-protected SuperMESHTM Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS ID PwMaxSTW9NK95Z 950 V
9.5. Size:248K st
stw9nc70z.pdf 

STW9NC70ZN-CHANNEL 700V - 0.90 - 7.5A TO-247Zener-Protected PowerMESHIII MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTW9NC70Z 700 V
9.6. Size:270K st
stw9nb90.pdf 

STW9NB90N-CHANNEL 900V - 0.85 - 9.7A - TO-247PowerMESH MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTW9NB90 900 V
9.7. Size:260K st
stw9n150.pdf 

STW9N150N-channel 1500 V - 1.8 - 8 A - TO-247very high voltage PowerMESH Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) ID PwSTW9N150 1500 V
9.8. Size:791K st
stp9n80k5 stw9n80k5.pdf 

STP9N80K5, STW9N80K5 N-channel 800 V, 0.73 typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFETs in a TO-220 and TO-247 packages Datasheet - production data Features TABOrder code V R max. I DS DS(on) DSTP9N80K5 800 V 0.90 7 A STW9N80K5 33 Industrys lowest R x area DS(on)221 Industrys best FoM (figure of merit) 1 Ultra-low gate charge 100% avala
9.9. Size:248K st
stw9nc80z.pdf 

STW9NC80ZN-CHANNEL 800V - 0.82 - 9.4A TO-247Zener-Protected PowerMESHIII MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTW9NC80Z 800 V
9.10. Size:305K inchange semiconductor
stw9nk90z.pdf 

iscN-Channel MOSFET Transistor STW9NK90ZFEATURESDrain Current : I =8A@ T =25D CDrain Source Voltage: V =900V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =1.3(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid drive.ABSOL
Другие MOSFET... STW7NA90
, STW80NE06-10
, STW80NF06
, STW80NF55-08
, STW88N65M5
, STW8NA60
, STW8NA80
, STW8NB100
, IRLZ44N
, STW9NK95Z
, STWA12N120K5
, STWA20N95K5
, STWA45N65M5
, STWA57N65M5
, STWA88N65M5
, STY100NM60N
, STY100NS20FD
.