STW9NA80. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STW9NA80

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm

Тип корпуса: TO-247

Аналог (замена) для STW9NA80

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STW9NA80 даташит

 ..1. Size:132K  st
2sk2078 stw9na80.pdfpdf_icon

STW9NA80

STW9NA80 STH9NA80FI N - CHANNEL 800V - 0.85 - 9.1A - TO-247/ISOWATT218 FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STW9NA80 800 V

 ..2. Size:132K  st
stw9na80.pdfpdf_icon

STW9NA80

STW9NA80 STH9NA80FI N - CHANNEL 800V - 0.85 - 9.1A - TO-247/ISOWATT218 FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STW9NA80 800 V

 ..3. Size:147K  njs
sth9na80fi stw9na80.pdfpdf_icon

STW9NA80

 8.1. Size:125K  st
stw9na60.pdfpdf_icon

STW9NA80

STW9NA60 STH9NA60FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STW9NA60 600 V

Другие IGBT... STW7NA90, STW80NE06-10, STW80NF06, STW80NF55-08, STW88N65M5, STW8NA60, STW8NA80, STW8NB100, AON6380, STW9NK95Z, STWA12N120K5, STWA20N95K5, STWA45N65M5, STWA57N65M5, STWA88N65M5, STY100NM60N, STY100NS20FD