STY105NM50N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STY105NM50N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 625 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 88 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 500 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm

Encapsulados: MAX247

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STY105NM50N datasheet

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STY105NM50N

STY105NM50N N-channel 500 V, 0.019 typ., 110 A, MDmesh II Power MOSFET in a Max247 package Datasheet - production data Features VDSS Order code @TjMAX RDS(on) max ID STY105NM50N 550 V

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STY105NM50N

STY100NM60N N-channel 600 V, 0.028 typ., 98 A MDmesh II Power MOSFET in a Max247 package Datasheet production data Features VDSS Type RDS(on) max ID @ TJmax STY100NM60N 650 V

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STY105NM50N

STY100NS20FD N-channel 200V - 0.022 - 100A - Max247 MESH OVERLAY Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STY100NS20FD 200V

Otros transistores... STW9NK95Z, STWA12N120K5, STWA20N95K5, STWA45N65M5, STWA57N65M5, STWA88N65M5, STY100NM60N, STY100NS20FD, BS170, STY139N65M5, STY145N65M5, STY34NB50, MCH3333A, MCH3382, MCH3421, MCH3427, MCH3481