STY105NM50N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STY105NM50N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 625 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 88 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 500 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm

Тип корпуса: MAX247

Аналог (замена) для STY105NM50N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STY105NM50N даташит

 ..1. Size:902K  st
 sty105nm50n.pdf pdf_icon

STY105NM50N

STY105NM50N N-channel 500 V, 0.019 typ., 110 A, MDmesh II Power MOSFET in a Max247 package Datasheet - production data Features VDSS Order code @TjMAX RDS(on) max ID STY105NM50N 550 V

 9.1. Size:810K  st
 sty100nm60n.pdf pdf_icon

STY105NM50N

STY100NM60N N-channel 600 V, 0.028 typ., 98 A MDmesh II Power MOSFET in a Max247 package Datasheet production data Features VDSS Type RDS(on) max ID @ TJmax STY100NM60N 650 V

 9.2. Size:255K  st
 sty100ns20fd.pdf pdf_icon

STY105NM50N

STY100NS20FD N-channel 200V - 0.022 - 100A - Max247 MESH OVERLAY Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STY100NS20FD 200V

Другие IGBT... STW9NK95Z, STWA12N120K5, STWA20N95K5, STWA45N65M5, STWA57N65M5, STWA88N65M5, STY100NM60N, STY100NS20FD, BS170, STY139N65M5, STY145N65M5, STY34NB50, MCH3333A, MCH3382, MCH3421, MCH3427, MCH3481