STY139N65M5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STY139N65M5
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 625 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 130 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 56 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 365 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.017 Ohm
Paquete / Cubierta: MAX247
- Selección de transistores por parámetros
STY139N65M5 Datasheet (PDF)
sty139n65m5.pdf
STY139N65M5N-channel 650 V, 0.014 typ., 130 A, MDmesh V Power MOSFET in Max247 packageDatasheet production dataFeaturesVDS Order code@TjMAX RDS(on) max IDSTY139N65M5 710 V 0.017 130 A Max247 worldwide best RDS(on) Higher VDSS rating32 Higher dv/dt capability1 Excellent switching performanceMax247 Easy to drive 100% avalanche tes
sty130nf20d.pdf
STY130NF20DN-channel 200 V, 0.01 , 130 A, Max247low gate charge STripFET II Power MOSFETFeatures RDS(on) Type VDSS ID PWmaxSTY130NF20D 200 V
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: FQAF9P25 | MTN50N06E3 | CPC3730 | AP4435GH-HF | SSFT4004 | SM3116NAF | IPI051N15N5
History: FQAF9P25 | MTN50N06E3 | CPC3730 | AP4435GH-HF | SSFT4004 | SM3116NAF | IPI051N15N5
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
Popular searches
mj21193g | irf3710 pinout | irf9530 datasheet | mj21194 | oc71 transistor | 2n3440 | bc550c | 2n3904 transistor datasheet