STY139N65M5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: STY139N65M5
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 625 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 130 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 56 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 365 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm
Тип корпуса: MAX247
Аналог (замена) для STY139N65M5
STY139N65M5 Datasheet (PDF)
sty139n65m5.pdf

STY139N65M5N-channel 650 V, 0.014 typ., 130 A, MDmesh V Power MOSFET in Max247 packageDatasheet production dataFeaturesVDS Order code@TjMAX RDS(on) max IDSTY139N65M5 710 V 0.017 130 A Max247 worldwide best RDS(on) Higher VDSS rating32 Higher dv/dt capability1 Excellent switching performanceMax247 Easy to drive 100% avalanche tes
sty130nf20d.pdf

STY130NF20DN-channel 200 V, 0.01 , 130 A, Max247low gate charge STripFET II Power MOSFETFeatures RDS(on) Type VDSS ID PWmaxSTY130NF20D 200 V
Другие MOSFET... STWA12N120K5 , STWA20N95K5 , STWA45N65M5 , STWA57N65M5 , STWA88N65M5 , STY100NM60N , STY100NS20FD , STY105NM50N , 10N65 , STY145N65M5 , STY34NB50 , MCH3333A , MCH3382 , MCH3421 , MCH3427 , MCH3481 , MCH3486 .
History: FQPF4N50 | HGP115N15S | IRFS823 | NCEAP035N85GU | RSQ020N03 | IRFSZ22 | TSA100N20M
History: FQPF4N50 | HGP115N15S | IRFS823 | NCEAP035N85GU | RSQ020N03 | IRFSZ22 | TSA100N20M



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
mj21193g | irf3710 pinout | irf9530 datasheet | mj21194 | oc71 transistor | 2n3440 | bc550c | 2n3904 transistor datasheet