MCPF04N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MCPF04N60
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 125 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220F
Búsqueda de reemplazo de MCPF04N60 MOSFET
MCPF04N60 Datasheet (PDF)
mcpf04n60.pdf
MCCTMMCDF04N60Micro Commercial ComponentsOutput CharacteristicsTransfer Characteristics8 1.0Ta=25Ta=25PulsedPulsed6V0.865.5V0.65V40.4VGS=4.5V20.20 0.00 10 20 30 40 50 0 2 4 6 8DRAIN TO SOURCE VOLTAGE VDS (V) GATE TO SOURCE VOLTAGE VGS (V)RDS(ON) VGSRDS(ON) ID5 15Ta=25 Ta=25Pulsed Pulsed4 123 9VGS= 10V
Otros transistores... MCP04N65 , MCP87018 , MCP87022 , MCP87030 , MCP87050 , MCP87055 , MCP87090 , MCP87130 , 8N60 , MCPF04N65 , MCPF05N60B , MCPF08N60 , MCQ4822 , MCU01N80 , MCU02N80 , MCU04N60 , MCU04N65 .
History: SI4202DY
History: SI4202DY
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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