MCPF04N60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MCPF04N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для MCPF04N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MCPF04N60 даташит

 ..1. Size:714K  mcc
 mcpf04n60.pdf pdf_icon

MCPF04N60

MCC TM MCDF04N60 Micro Commercial Components Output Characteristics Transfer Characteristics 8 1.0 Ta=25 Ta=25 Pulsed Pulsed 6V 0.8 6 5.5V 0.6 5V 4 0.4 VGS=4.5V 2 0.2 0 0.0 0 10 20 30 40 50 0 2 4 6 8 DRAIN TO SOURCE VOLTAGE VDS (V) GATE TO SOURCE VOLTAGE VGS (V) RDS(ON) VGS RDS(ON) ID 5 15 Ta=25 Ta=25 Pulsed Pulsed 4 12 3 9 VGS= 10V

 6.1. Size:593K  mcc
 mcpf04n65.pdf pdf_icon

MCPF04N60

 9.1. Size:600K  mcc
 mcpf05n60b.pdf pdf_icon

MCPF04N60

 9.2. Size:595K  mcc
 mcpf08n60.pdf pdf_icon

MCPF04N60

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MCP04N65, MCP87018, MCP87022, MCP87030, MCP87050, MCP87055, MCP87090, MCP87130, IRFB7545, MCPF04N65, MCPF05N60B, MCPF08N60, MCQ4822, MCU01N80, MCU02N80, MCU04N60, MCU04N65