MCPF05N60B MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MCPF05N60B

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 90 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 72 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm

Encapsulados: TO-220F

 Búsqueda de reemplazo de MCPF05N60B MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

MCPF05N60B datasheet

 ..1. Size:600K  mcc
mcpf05n60b.pdf pdf_icon

MCPF05N60B

 9.1. Size:595K  mcc
mcpf08n60.pdf pdf_icon

MCPF05N60B

 9.2. Size:945K  mcc
mcpf07n65.pdf pdf_icon

MCPF05N60B

MCPF07N65 Features High Current Rating Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating Moisture Sensitivity Level 1 Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix "-HF" N-CHANNEL Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHS Compliant. See Ordering Information) MOSFET Maximum Ratings Operating Junction Temperature Range -55 C to +150 C S

 9.3. Size:593K  mcc
mcpf04n65.pdf pdf_icon

MCPF05N60B

Otros transistores... MCP87022, MCP87030, MCP87050, MCP87055, MCP87090, MCP87130, MCPF04N60, MCPF04N65, K2611, MCPF08N60, MCQ4822, MCU01N80, MCU02N80, MCU04N60, MCU04N65, MCU05N60, ME3587-G