Справочник MOSFET. MCPF05N60B

 

MCPF05N60B MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MCPF05N60B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 90 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 72 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F

 Аналог (замена) для MCPF05N60B

 

 

MCPF05N60B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:600K  mcc
 mcpf05n60b.pdf

MCPF05N60B MCPF05N60B

 9.1. Size:595K  mcc
 mcpf08n60.pdf

MCPF05N60B MCPF05N60B

 9.2. Size:945K  mcc
 mcpf07n65.pdf

MCPF05N60B MCPF05N60B

MCPF07N65Features High Current Rating Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating Moisture Sensitivity Level 1 Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix "-HF"N-CHANNEL Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHSCompliant. See Ordering Information)MOSFETMaximum Ratings Operating Junction Temperature Range : -55C to +150C S

 9.3. Size:593K  mcc
 mcpf04n65.pdf

MCPF05N60B MCPF05N60B

 9.4. Size:714K  mcc
 mcpf04n60.pdf

MCPF05N60B MCPF05N60B

MCCTMMCDF04N60Micro Commercial ComponentsOutput CharacteristicsTransfer Characteristics8 1.0Ta=25Ta=25PulsedPulsed6V0.865.5V0.65V40.4VGS=4.5V20.20 0.00 10 20 30 40 50 0 2 4 6 8DRAIN TO SOURCE VOLTAGE VDS (V) GATE TO SOURCE VOLTAGE VGS (V)RDS(ON) VGSRDS(ON) ID5 15Ta=25 Ta=25Pulsed Pulsed4 123 9VGS= 10V

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top