MCPF08N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MCPF08N60
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 165 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.3 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220F
Búsqueda de reemplazo de MCPF08N60 MOSFET
MCPF08N60 Datasheet (PDF)
mcpf07n65.pdf
MCPF07N65Features High Current Rating Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating Moisture Sensitivity Level 1 Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix "-HF"N-CHANNEL Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHSCompliant. See Ordering Information)MOSFETMaximum Ratings Operating Junction Temperature Range : -55C to +150C S
Otros transistores... MCP87030 , MCP87050 , MCP87055 , MCP87090 , MCP87130 , MCPF04N60 , MCPF04N65 , MCPF05N60B , AO3407 , MCQ4822 , MCU01N80 , MCU02N80 , MCU04N60 , MCU04N65 , MCU05N60 , ME3587-G , MFE930 .
History: IRFD014PBF | STB5NK50ZT4 | STB5NK52ZD-1 | IPB65R099C6 | SQD97N06-6M3L | NTMFS23D9N06HL | STB55NF03L-1
History: IRFD014PBF | STB5NK50ZT4 | STB5NK52ZD-1 | IPB65R099C6 | SQD97N06-6M3L | NTMFS23D9N06HL | STB55NF03L-1
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
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