Справочник MOSFET. MCPF08N60

 

MCPF08N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MCPF08N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 165 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.3 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MCPF08N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:595K  mcc
mcpf08n60.pdfpdf_icon

MCPF08N60

 9.1. Size:600K  mcc
mcpf05n60b.pdfpdf_icon

MCPF08N60

 9.2. Size:945K  mcc
mcpf07n65.pdfpdf_icon

MCPF08N60

MCPF07N65Features High Current Rating Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating Moisture Sensitivity Level 1 Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix "-HF"N-CHANNEL Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHSCompliant. See Ordering Information)MOSFETMaximum Ratings Operating Junction Temperature Range : -55C to +150C S

 9.3. Size:593K  mcc
mcpf04n65.pdfpdf_icon

MCPF08N60

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: SIHFP460N | KUK7105-40ATE | JFFM18N50C | SI1023CX | OM6105SC | TK11A65W | SWN4N70D1

 

 
Back to Top

 


 
.