Справочник MOSFET. MCPF08N60

 

MCPF08N60 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MCPF08N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 165 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.3 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F

 Аналог (замена) для MCPF08N60

 

 

MCPF08N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:595K  mcc
 mcpf08n60.pdf

MCPF08N60 MCPF08N60

 9.1. Size:600K  mcc
 mcpf05n60b.pdf

MCPF08N60 MCPF08N60

 9.2. Size:945K  mcc
 mcpf07n65.pdf

MCPF08N60 MCPF08N60

MCPF07N65Features High Current Rating Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating Moisture Sensitivity Level 1 Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix "-HF"N-CHANNEL Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHSCompliant. See Ordering Information)MOSFETMaximum Ratings Operating Junction Temperature Range : -55C to +150C S

 9.3. Size:593K  mcc
 mcpf04n65.pdf

MCPF08N60 MCPF08N60

 9.4. Size:714K  mcc
 mcpf04n60.pdf

MCPF08N60 MCPF08N60

MCCTMMCDF04N60Micro Commercial ComponentsOutput CharacteristicsTransfer Characteristics8 1.0Ta=25Ta=25PulsedPulsed6V0.865.5V0.65V40.4VGS=4.5V20.20 0.00 10 20 30 40 50 0 2 4 6 8DRAIN TO SOURCE VOLTAGE VDS (V) GATE TO SOURCE VOLTAGE VGS (V)RDS(ON) VGSRDS(ON) ID5 15Ta=25 Ta=25Pulsed Pulsed4 123 9VGS= 10V

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top