MCPF08N60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MCPF08N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 165 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.3 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для MCPF08N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MCPF08N60 даташит

 ..1. Size:595K  mcc
 mcpf08n60.pdf pdf_icon

MCPF08N60

 9.1. Size:600K  mcc
 mcpf05n60b.pdf pdf_icon

MCPF08N60

 9.2. Size:945K  mcc
 mcpf07n65.pdf pdf_icon

MCPF08N60

MCPF07N65 Features High Current Rating Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating Moisture Sensitivity Level 1 Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix "-HF" N-CHANNEL Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHS Compliant. See Ordering Information) MOSFET Maximum Ratings Operating Junction Temperature Range -55 C to +150 C S

 9.3. Size:593K  mcc
 mcpf04n65.pdf pdf_icon

MCPF08N60

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MCP87030, MCP87050, MCP87055, MCP87090, MCP87130, MCPF04N60, MCPF04N65, MCPF05N60B, EMB04N03H, MCQ4822, MCU01N80, MCU02N80, MCU04N60, MCU04N65, MCU05N60, ME3587-G, MFE930